憶芯科技發布Star1000R NVMe主控，讀取3.5GB/s，隨機性能翻倍

存儲晶元是近年來國內半導體產業的重點，紫光旗下的長江存儲今年底將量產國內的3D NAND快閃記憶體，而在SSD主控晶元上，國產廠商就更多了，而且不只是中低端產品，北京憶芯科技去年底發布了STAR1000系列高性能NVMe SSD主控，這幾天的FMS會議上他們又推出了升級版的STAR1000R主控晶元，讀取速度3.5GB/s，寫入速度3GB/s，隨機讀寫更是可以達到600K IOPS，隨機性能幾乎翻倍。

有關憶芯科技的STAR1000 NVMe主控，我們去年參加發布會後寫過詳細的報道，這家公司背後也有國內大基金的支持，產品主打定位是入門機企業級及高性能消費級SSD主控，支持PCIe 3.0 x4通道及NVMe規範。

簡單來說，STAR10000主控的連續讀取速度可達3.0GB/s，寫入速度超大2.0GB/s，隨機讀取350K IOPS，隨機寫入300K IOPS，使用的是台積電的28nm工藝生產，它的規格在在PCIe主控中是拔尖的，這個主控也在建興的T10 Plus硬碟上首發了。

在昨天的FMS快閃記憶體會議上，憶芯科技又發布了新一代的STAR1000P主控，命名及規格跟現在的STAR1000主控差不多，但是性能要高得多，連續讀取速度提升到了3.5GB/s，連續寫入從2GB/s提升到3GB/s，隨機讀取、寫入性能是600OK IOPS，幾乎是之前的兩倍。

其他規格方面，STAR1000P主控支持NVMe 1.3規範，支持PCIe 3.0 x4通道，支持ONFi 4.0及Toggle 3.0規範，IO速率800Mbps，支持2D/3D SLC/MLC/TLC/QLC快閃記憶體，支持DDR3/DDR3L/DDR4/LPDDR3緩存。

在安全性方面，STAR1000P主控除了支持TCG-Opal 2.0加密之外，還支持硬體SHA256加密，同時還支持國內的SM2/SM3/SM4國密標準。

憶芯科技沒提到STAR1000P主控硬碟何時上市，不過表態已經在跟國內多家廠商聯合開發基於STAR1000P主控的SSD硬碟，主要面向企業級、客戶端市場。

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