SK海力士宣布推出4D NAND快閃記憶體

iMobile手機之家，8月10日消息        近日，在美國舉行的Flash Memory Summit上，SK海力士除了講解了CTF（電荷捕獲型）與Floating Gate（浮柵型）兩種技術路線的差別，還宣布推出自家4D快閃記憶體。

圖片來源於網路

根據現場的技術演示文檔，基於CTF的4D NAND將外圍電路放置在了存儲單元下方，在晶元面積、成本控制方面會有更大的優勢。

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而性能表現方面，目前第一款4D NAND型號為V5 512Gb TLC，晶元面積11.5mm*13mm，採用了96層堆疊，I/O速度達到1.2Gbps，預計將會在今年第4季度出樣，性能相比於V4 3D有明顯提升，在面積減小20%的前提下讀寫速度分別提升了30%和25%。

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BGA封裝TLC顆粒容量可以達到1Tb（128GB），模組最大支持2TB，在2.5寸規格的U.2中可以做到64TB，預計將於2019年前半年出樣。

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