東芝3D XL-FLash首次亮相 96層QLC快閃記憶體明年量產
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08-13
在前不久的快閃記憶體峰會中，東芝宣布BiCS3的64層堆疊提升到96層BiCS4（第四代BiCS 3D快閃記憶體）研發工作已經基本完成，全新的BiCS4 QLC快閃記憶體將從明年開始量產。
全新的BiCS4 QLC快閃記憶體單晶元的容量可以做到1.33TB，採用U.2規格的模組可以實現85TB，採用M.2 22110規格可以做到20TB。耐用性方面，這款產品的P/E也從理論上的1000次提升至1500次，為傳統TLC的一半。
另外，在峰會期間東芝還重磅推出了3D XL-Flash快閃記憶體，這是一種快速讀取SLC快閃記憶體類型，使用較短的位線（bit lines）和字線（word lines）來構建快閃記憶體晶元，早期3D XL-Flash將使用SLC顆粒，之後將可能會採用MLC顆粒。與TLC快閃記憶體相比，讀取延遲減少了10倍。與QLC的30μs編程時間相比，XL-Flash的編程時間為7μs更加具有速度優勢。而在成本方面，3D XL-Flash快閃記憶體與英特爾基於3D X-point的Optane相比，雖然性能相當但擁有更好的性價比。
東芝表示，會將3D XL-Flash快閃記憶體與QLC快閃記憶體結合使用，這種組合可以通過減小內部連接的距離來獲得更快的速度，比DRAM-HDD組合更快，將主要用於企業和數據中心。
