SK海力士發布業內首款4D快閃記憶體，韓媒稱其營銷用意更大

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近日SK海力士公布了最新的96層3D NAND Flash技術，並賦予此技術4D的名稱。據悉，SK海力士的首款4D快閃記憶體是V5 512Gb TLC，預計今年第四季度出樣。而據韓媒報道稱，SK海力士賦予此技術4D的名稱，是為營造出較3D先進的意象，營銷的用意更大，最終能否獲得市場青睞，仍待觀察。

文｜茅茅

校對｜春夏

圖源｜集微網

集微網消息，近日SK海力士公布了最新的96層3D NAND Flash技術，並賦予此技術4D的名稱。據悉，SK海力士的首款4D快閃記憶體是V5 512Gb TLC，採用96層堆疊、I/O介面速度1.2Gbps（ONFi 4.1標準）、面積13平方毫米，預計今年第四季度出樣。

4D快閃記憶體的營銷用意更大？

據韓媒Ddaily報導指出，SK海力士最新的96層3D NAND Flash技術，特色是採用Charge Trap Flash(CTF)結構，將外圍電路（Peripheral under Cell，簡稱「PUC」）的位置由水平改為垂直，PUC構造目的在於縮減晶元面積，採在周邊晶體管(Transistor)上直接蒸鍍晶胞(Cell)陣列堆疊而上的方式。因此，蝕刻製程與導電材料是技術關鍵，目前SK海力士控制柵極材料是以適當比例的鎢、銅、鋁混合而成。

值得一提的是，報道還指出，SK海力士所公開的PUC並非全新技術，美光早前已開發出類似的Cell on Peripheral(COP)技術，並用於生產3D NAND Flash，而SK海力士賦予此技術4D的名稱，是為營造出較3D先進的意象，營銷的用意更大，最終能否獲得市場青睞，仍待觀察。

而據SK海力士透露，公司內部的4D快閃記憶體已經推進到了128層堆疊，很快可以做到單晶元512GB，2015年已做到單晶元8TB。目前，SK海力士的3D NAND是72層堆疊，單晶元最大512Gb（64GB），首款企業級產品PE4010已於今年6月份出貨給微軟Azure伺服器。

同時，SK海力士也透露，已經開始向慧與科技(HPE)出貨導入72層3D NAND Flash的SATA固態硬碟(SSD)，雖非高端產品，但意味著SK海力士正在為挑戰企業級SSD市場做準備。

SK海力士正在全球增設產能

近幾年，受惠於DARM內存晶元和NAND快閃記憶體晶元強勁的需求推動，SK海力士營收屢創新高。據公司最新發布的第二季度財報顯示，SK海力士第二季度凈利潤達到創紀錄的4.3萬億韓元（約合38.4億美元），同比增長75.4%。

其中，第二季度DRAM晶元出貨量同比增長了16%，因市場供應短缺，銷售價格同比上漲了4%；而第二季度NAND晶元出貨量同比增長了19%，但因產品供應量的增加，銷售價格下滑了9%。

SK海力士表示，隨著中美兩國數據公司企業投資的增加，今年下半年與伺服器相關的產品需求仍將會增長。此外，對移動設備的季節性需求，包括新款智能手機的發布，也將為相關產品提供支持。SK海力士還表示，DRAM內存晶元的供給短缺問題仍將會隨著時間推移繼續存在。

為滿足內存晶元市場越發旺盛的需求，今年7月底，SK海力士宣布將在總部京畿道利川市新建一座半導體工廠，新工廠總投資額達3.4萬億韓元(約合人民幣215億元)，預計2018年底開工建設，計劃2020年10月份完工。

除了建設新廠，SK海力士還將持續提升利川市M14工廠(2015年建成)的產能；同時，SK海力士在韓國清州增設的潔凈室將於今年9月底之前完工，定於明年年初投產；此外，公司還將擴大中國無錫工廠的無塵室面積，預計今年下半年完成。

據悉，等到新工廠全部建設完畢、設備安裝到位之後，SK海力士的總投資額或將超過46萬億韓元(約合人民幣2800億元)。

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