長江存儲推出3D NAND架構Xtacking，I/O介面速度高達3Gbps

雷鋒網消息，長江存儲周一公布了有關其Xtacking架構的關鍵細節，該架構將用於其即將推出的3D NAND快閃記憶體晶元。該技術涉及使用兩個晶圓構建NAND晶元：一個晶圓包含基於電荷陷阱架構的實際快閃記憶體單元，另一個晶圓採用CMOS邏輯。

傳統上，NAND快閃記憶體的製造商使用單一工藝技術在一個晶片上產生存儲器陣列以及NAND邏輯（地址解碼，頁面緩衝器等）。相比之下，長江存儲打算使用不同的工藝技術在兩個不同的晶圓上製作NAND陣列和NAND邏輯，然後將兩個晶圓粘合在一起，使用一個額外的工藝步驟通過金屬通孔將存儲器陣列連接到邏輯。

Xtacking架構旨在使NAND獲得超快的I/O介面速度，同時最大化其內存陣列的密度。長江存儲表示，其64層3D NAND晶元的I/O介面速度為3 Gbps，比三星最新的V-NAND快兩倍，比主流3D NAND快三倍。

從理論上講，高I/O性能將使SSD供應商能夠只用較少的NAND通道製作低容量SSD而不會影響性能，從而抵消了高傳輸率的低並行性。此外，通過將控制邏輯定位在NAND存儲器陣列下方，長江存儲表示Xtacking架構允許最大化其3D NAND容量，並最小化晶元的尺寸。

長江存儲稱，由於存儲密度的增大可以抵消額外的邏輯晶圓成本，使用兩個300毫米晶圓不會顯著增加生產成本。與其他製造商一樣，長江存儲沒有公開用於3D NAND的光刻節點，只對外公布使用XMC的工廠生產內存和邏輯，並稱外圍邏輯晶元將使用180nm製程加工。由於兩種晶圓均採用成熟的製造技術進行加工，因此長江存儲不需要非常高的混合和匹配覆蓋精度來將它們粘合在一起並形成互連通孔。

一般來說，存儲顆粒製造商傾向於將模具尺寸保持在較低的水平，以提高競爭力和盈利能力。對於2D NAND來說，在涉及到通常的Gb/mm2指標時，拋開所有複雜性和產率，較小的晶元會讓晶圓成本分散在更多晶元上，進而在成本方面獲勝。

而隨著晶圓在化學氣相沉積（CVD）機器上花費更多時間，3D NAND技術變得更加複雜，因此晶圓廠加工的晶圓數量以及晶圓本身的成本不再是至關重要的指標。儘管如此，它們對於像長江存儲這樣的公司來說，通過將控制邏輯放在內存數組中，使其NAND密度最大化就已經足夠重要了。

via：Anandtech

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