攜手Everspin：IBM為19TB NVMe SSD引入MRAM
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08-20
據外媒報道，IBM 正在擺脫傳統需要電容支持的 DRAM，轉而推進面向下一代快閃記憶體系統的磁阻存儲器（MRAM）技術。 AnandTech 指出，MRAM 是當前市面上速度最快、耐用性最高的非易失性存儲器之一。只是與 NAND 快閃記憶體（甚至英特爾的 3D XPoint 存儲器）相比，其密度相對更加受限。
好消息是， IBM 與格羅方德（Global Foundries）達成了合作，在後者 22nm FD-SOI 工藝基礎上製造 MRAM 。 正因如此，使得 MRAM 晶元供應商 Everspin 將產能提升到了新的高度。
目前 Everspin 正在生產 256Mb 晶元，但有望在今年年底前開始 1Gb 晶元的出樣。
IBM 的 FlashSystem 設備，使用了類似 SSD 的定製外形、部署了系統級掉電防護功能、以及 FPGA 主控。
藉助新系統，該公司還能將它轉變成標準的 2.5 英寸 U.2 驅動器。
但要為每個驅動器部署超級電容，來保持 FPGA 主控在掉電後有足夠長的時間運行並刷新其 DRAM 寫緩存的話，顯然是不現實的。
值得慶幸的是，MRAM 的非易失性，可以徹底消除對大型超級電容器的需求。
AnandTech 指出，IBM FlashSystem 可擁有高達 19.2TB 的 64 層 TLC NAND 存儲空間，並藉助 20 通道 NAND 介面和 PCIe 4.0 x4 主機介面，在雙埠 2+2 模式下運行。
據悉，IBM 將在本周的快閃記憶體峰會上展出 FlashSystem 驅動器，並於本月晚些時候開始向客戶交付。
