存儲器資本支出過高，3D NAND供過於求風險增

在DRAM與Flash存儲器市場需求強勁，存儲器業者紛紛擴大產能拉抬下，IC Insights預估，2018全年全球半導體業者資本支出將再度成長9%，首度超越1000億美元，達1020億美元，續創歷史新高。

其中投入在Flash存儲器與非揮發性存儲器(NV)產品的資本支出成長13%，達311億美元，占所有半導體產品資本支出的31%。DRAM/SRAM存儲器產品資本支出年增41%，達229億美元，佔22%。

合計2018年全球整體存儲器產品資本支出金額為540億美元，占所有半導體產品資本支出的53%，雙創近年新高。2013~2018年整體存儲器產品資本支出金額年複合成長率為30%。

雖然2018年Flash/NV存儲器，與DRAM/SRAM存儲器產品資本支出續呈大幅成長，但相較於2017年，上述兩類產品資本支出年增幅度已開始放緩。資料顯示，2017年Flash/NV存儲器，與DRAM/SRAM存儲器資本支出分別成長91%與82%。

除存儲器產品，2018年全球微處理器(MPU)與微控制器(MCU)產品資本支出預估也會成長19%，達130億美元。晶圓代工、類比晶元/其它、邏輯晶元等類資本支出則會分別達217億美元(年減11%)、79億美元(年增0%)與55億美元(年減14%)。

IC Insights表示，歷史先例顯示，存儲器產品過多的資本支出，往往會導致產能過剩和隨之而來的價格下滑。由於如三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)、英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)/西部數據(WD)、以及長江存儲(YMTC)/武漢新芯(XMC)等業者都已計劃要在未來幾年內大幅提升3D NAND Flash產能，這使得3D NAND Flash供應將會超過市場需求的風險，正在不斷升高。

來源：DIGITIMES

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