功率半導體是指在電子設備中用於電源轉換或者電源管理的半導體。隨著對節能減排的需求迫切，功率半導體的應用領域已從工業控制和4C領域，進入新能源、軌道交通、智能電網、變頻家電等諸多市場。

數據顯示，2017年全球功率半導體市場中，工業應用市場佔比為34%，汽車應用市場佔比為23%，消費電子應用佔比為20%，無線通訊應用佔比為23%。

國內功率器件的應用分布

半導體功率器件在功率半導體中十分重要。目前，國內以揚傑科技、華微電子、士蘭微為代表的功率半導體龍頭企業市場佔有率非常低，進口替代的空間巨大。據中商產業研究院，2018年國內半導體功率器件十強企業中，排名第一的為吉林華微科技，2017年營收達16.4億元。揚州揚傑電子科技排名第二，2017年營收為14.7億元。以下為排名：

國內功率器件十強

功率器件市場現狀：歐美日把持，國內仍需努力

縱觀整個功率器件市場，整體態勢是歐美日廠商三足鼎立。 其中美國功率器件處於世界領先地位，擁有一批具有全球影響力的廠商，例如 TI、Fairchild、Maxim、ADI、ONSemiconductor和 Vishay 等廠商。歐洲擁有 Infineon、ST 和 NXP 三家全球半導體大廠。日本主要有 Toshiba、 Renesas、 Rohm、 Matsushita、Fuji Electric 等。中國台灣擁有富鼎先進、茂達、安茂、致新和沛亨等一批廠商。而我國則有上述代表。

功率半導體器件細分領域多， 行業整體增速較緩，大廠傾向於業內併購，通過布局新領域實現增長。 2016 年英飛凌科技成為全球功率半導體的主要供應商，其在 2015 年初收購美國國際整流器公司（InternationalRectifier）後，英飛凌超過三菱電機成為領先的功率模塊製造商。 德州儀器在 2015 年被英飛凌超越後，於 2016年退居全球第二。 安森美完成對飛兆半導體（Fairchild）的收購後，市場排名升至第三位，其在功率分立器件市場份額躍升 10%。 2016 年建廣資本以 27.5 億美元併購了 NXP 的標準器件部門，中國企業首次進入行業全球前十強。

雖然國內功率器件近幾年獲得了不少的突破，且國內功率半導體器件市場規模大，但我們應該看到國內產業仍處於起步階段。

據賽迪顧問， 2016 年， 中國功率半導體市場規模達到了 1496 億元， 佔據了全球 40%以上的市場。 然而供應鏈仍然被國外廠商所壟斷， 國內企業相對而言規模較小、技術落後、品類不全，產業仍然處於起步和加速追趕的階段。 國內功率半導體企業排名第一的吉林華微， 2016 年營收為 13.95 億元，凈利潤僅為 4060 萬元。而全球行業老大英飛凌 2016 集團營收高達 64.73 億歐元， 中國龍頭企業和行業龍頭的差距在 30 倍以上。

據 Yole， 功率 IC 市場競爭格局成熟，供應鏈較為完善。 美國在功率 IC 領域具有絕對領先優勢，歐洲在功率 IC 和功率分立器件方面也都具有較強實力， 日本在功率 IC 晶元方面，雖然廠商數量眾多，但整體市場份額不高。 功率 IC 下游核心產品—電源 IC， Dialog、 Qualcomm 以及 Maxim 三家主要供應商以遙遙領先的市佔率主宰了智能手機市場。 2016 年建廣資本 27.5 億美元收購 NXP 標準部門完成交割，力圖填補國內汽車、工業 IC 領域空白。

細分到各個領域，在功率二極體方面，國內廠商具競爭力，進口替代空間大。

這個領域，國際最大廠商是 Vishay，佔據11.71%市場份額，而後第二至第七大廠商市場份額為 5%-8%，與第一相差無幾，再在其後廠商市場份額不足 5%，市場相對分散。其中國內廠商揚傑科技市場份額為 2.01%。功率二極體技術成熟、市場進入門檻低， 注重的是生產過程的控制和成本的控制。國內廠商由於生產工藝控制精湛、人力成本低具有一定競爭力，國產替代空間較大。 根據工信部發布的中國電子信息產業統計年鑒， 自 2014 年後， 中國二極體及類似半導體器件出口數量持續超過進口額。

在硅基MOSFET方面，國內廠商潛力大，進口替代正當時。國內廠商主要集中在低壓 MOSFET領域，中高壓 MOSFET 主要被國外廠商佔據。據 IHS，國內功率 MOSFET 市場主要廠商是英飛凌， 2016 年市場份額達 28.5%，與位於第二的安森美半導體佔據了國內將近一半市場。國內廠商只有士蘭微和吉林華微上榜，分別佔據了 1.9%和 1.1%的市場份額，進口替代的空間巨大。

2016 年， 建廣資本以 27.5 億元收購恩智浦半導體（NXP Semiconductors）標準產品業務部門， 成立一家名為 Nexperia 的獨立公司。

Nexperia 承接了 NXP 中 MOSFET 所有業務，一躍成為 MOSFET 領域全球第十、國內第八（市場份額 3.8%）的廠商。 NXP 是工業與汽車半導體領域大廠商， 相比之下，工業和汽車半導體一直是中國半導體企業的弱項，由於這個領域的產品門類多、單量小、售價高、迭代慢，國內企業很難進入。 Nexperia 的成立彌補了國內廠商在這一領域的短板。此外， 2016年建廣資本還與 NXP 成立合資公司瑞能半導體，產品主要為二極體、雙極性晶體管、可控硅整流器， 以及收購 NXP RF Power 部門，成立安譜隆公司致力於射頻技術領域的創新與研發。

至於硅基 IGBT，海外廠商優勢明顯， CR4 高達 70.8%。

據 IHS， 2016 年， 英飛凌、 三菱電機、 富士電機(Fuji Electric)、 德國賽米控(SEMIKRON)四大海外供應商佔了全球 IGBT 市場的 70.8%。儘管中國功率半導體市場佔世界市場的 40%以上，但在 IGBT 主流器件上， 90%主要依賴進口，目前僅在大功率軌道交通領域實現國產化， 2016 年國廠嘉興斯達、中國中車市佔率分別為 1.6/0.6%。

值得一提的是中國中車，他們立足高鐵用 IGBT，快速推進。 在合併前，北車在 IGBT 模塊封裝上與 ABB技術合作，建設高功率模塊生產線，成為國內首家能夠封裝 6500V 大功率模塊及解決方案的提供商。南車則在海外收購 Dynex 公司建立 IGBT 晶元設計中心，總投資 14 億元建設國內首條八英寸 IGBT 晶元生產線，除晶元外，還有 9 條滿足不同行業的 IGBT 模塊生產線，預計完全投產後，中車將年產 12 萬片 8 英寸 IGBT 晶元和 100 萬隻 IGBT 模塊。

來到第三代半導體方面，依然是海外公司技術領先， 國內起步時間晚， 尚在追趕。

SiC 關鍵技術由海外公司壟斷，從產業鏈來看，上游部分， CREE 公司獨佔 SiC 晶元製造市場份額 60%以上；中游部分，英飛凌、 CREE、意法半導體和安森美等功率半導體領域國際排名前十的企業合計已在 SiC 功率器件市場佔據 50%以上份額。 相比於美國 CREE 公司於 2003 年推出 SiC 產品， 國內公司起步晚，技術相對落後。直到 2015 年初，泰科天潤才首次實現了碳化硅肖特基二極體的量產，目前國內 SiC 產業規模於國外相比尚有較大差距。

由此可見，對於中國功率器件廠商來說，依然任重而道遠！

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