三星：明年推5/4nm EUV工藝，2020年上馬3nm GAA

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昨天，在日本舉行的晶圓代工技術論壇(Samsung Foundry Forum)上，三星再次刷新了半導體工藝路線圖，將搶攻高端運算與聯網裝置市場。

今年會推出7nm EUV工藝，明年有5/4nm EUV工藝，2020年則會推出3nm EUV工藝，同時晶體管類型也會從FinFET轉向GAA結構，這是下一世代電晶體架構，並將配合極紫外光（EUV）微影設備，來克服物理限制。

三星晶圓代工部門總裁鄭恩昇(E.S. Jung)表示，2018年晚些時候會推出7nm FinFET EUV工藝，而8nm LPU工藝也會開始風險試產，2019年則會推出5/4nm FinFET EUV工藝，同時開始18nm FD-SOI工藝的風險試產，後者主要面向RF射頻、eMRAM等晶元產品。

三星7nm是第一個採用EUV技術的半導體製程，按計劃將在2018下半年投產。三星表示，關鍵IP已在開發，將於2019年上半年完成。

2020年，三星則會推出3nm EUV工藝，同時晶體管結構也會大改，從目前的FinFET變成GAA（ Gate-All-Around）結構，GAA公認為7nm節點之後取代FinFET晶體管的新一代技術候選。

三星表示，他們是第一家大規模量產EUV工藝的廠商。根據三星的說法，他們在韓國華城的S3 Line生產線上部署了ASML的NXE3400 EUV光刻機，這條生產線原本是用於10nm工藝的，現在已經被改造，據說現在的EUV產能已經達到了大規模生產的標準。此外，三星還在S3生產線之外建設全新的生產線，這是EUV工藝專用的，計劃在2019年底全面完成，EUV的全面量產計劃在2020年完成。

在台積電搶下絕大多數7nm訂單的情況下，原文作者認為台積電的7nm產能不可能包攬所有7nm訂單，三星依然有機會搶得客戶，因此他猜測某公司下一代的GPU有可能交由三星代工。

在GPU代工方面，三星使用14nm工藝給NVIDA的GTX 1050 Ti/1050顯卡的GP107核心代工過，而AMD日前已宣布下一世代Zen 2中央處理器與Navi繪圖處理器，都將交予台積電以7nm製程代工。

三星還介紹了其在封裝測試方面的路線圖，目前，三星已經可以提供FOPLP-PoP、I-Cube 2.5D封裝，明年則會推出3D SiP系統級封裝，其中I-Cube封裝已經可以實現4路HBM 2顯存堆棧了。

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