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硬體資訊:我們故意報高了進貨量!第四季度內存仍有望降價5%

新聞1:三星減產勒脖子,第四季度內存仍有望降價5%

2016年年中至今,DRAM內存的高價態勢已經維持了兩年多,本來三星、SK海力士、美光等巨頭都計劃增產以滿足市場需求,進而帶動降價,但眼看著財源滾滾,巨頭們都收手刻意控制增產計劃,三星甚至開始減產。不過存儲研究機構DRAMeXchange最新調查發現,眼下正值各大廠商議定第四季度內存合約價格的關鍵時期,但是整體產能仍在增加,而且旺季需求不旺,預計第四季度DRAM內存合約價格將會降低5%,明顯高於此前預計的1-3%的降幅。

過往連續九個季度,DRAM合約價一直都在大幅上漲,但從今年第三季度開始已經疲軟,當季僅漲了3%,尤其是PC端只漲了1-2%,伺服器端也只有1%,手機端更是基本持平。

而在現貨市場上,DRAM的價格更是從今年初開始一路下滑,到6月底已經低於合約價,目前更是低了大約10%,而且可能會繼續下跌。

根據DRAMeXchange的最新預計,第四季度PC、伺服器內存價格都有望下跌5%,而在智能手機端,雖然有了新iPhone但定價過高,對於內存的帶動作用也很弱,預計整合型手機內存會降價2-5%,獨立型則會降3-8%。

當然了,以上說的都是DRAM內存顆粒的趨勢,至於消費者實際買到手的DRAM內存條,價格趨勢肯定會有所不同,但既然源頭的價格都下來了,市場上肯定也會有反應。

減產的方法還不簡單,放把火燒了,地震了,火山噴發了,隕石墜落了,工廠停電了,企業漏氣了,工廠門口的二狗子死了,隔壁三廠子張三的爸爸的哥哥的兄弟的妹妹的姨丈的爸爸的姐姐腳不小心崴了……都是理由。只要需求下跌,就會重新刺激零售銷售,雖然影響微乎其微,但也說明至少會降一點。事實上已經降了一點了,比如十銓這些內存基本全盤跌入400,其他內存條也有不同幅度的下跌。要不……再等等?

新聞2:不再燒錢玩7nm工藝了,GF表示14/12nm及22FDX工藝真香

8月底全球第二大晶圓代工廠Globalfoundries(簡稱GF公司)宣布退出7nm及以下節點工藝研發與投資,這是繼台聯電之後第二家放棄10nm以下工藝的半導體公司,現在7nm及以後的工藝中只剩下台積電、三星及英特爾三家公司了,其中英特爾的7nm還沒影,只能確定英特爾不會退出競賽。

雖然不玩7nm及以下工藝讓人惋惜,不過GF公司並不因此傷心,在該公司舉行的GTC大會上GF強調先進工藝不是唯一,22nm FD-SOI工藝以及14/12nm FinFET依然大有市(真)(香)場。

GF公司退出7nm工藝研發,影響的客戶主要是AMD及IBM公司,AMD隨即宣布將7nm Zen2 CPU及7nm Vega/Navi GPU晶元全部交給台積電代工,IBM方面還沒有宣布動向,不過下一代的Power 10處理器問世還早,IBM還有時間選擇新的代工廠。對GF自己來說,拋棄7nm及以後的5nm、3nm等燒錢無止境的工藝,轉向更有利潤的市場也不失為一個好選擇。

今天開始GF公司在美國聖克拉拉召開了GTC(Global Technology Conference)2018大會,公布該公司在工藝技術上的路線圖及計劃,簡單看下他們未來的計劃吧,雖然跟消費級處理器、顯卡關係越來越小,但在RF射頻、汽車電子等行業大有可為。

以下圖片主要來自於GF官推及Anshelag推特。

GF公司成立9年來取得的成績,產能是之前的8倍多,營收是之前的6倍。

既然退出了7nm及以下工藝競賽,GF就順便「黑」了一下摩爾定律,指出晶元成本越來越高,晶體管密度提升幅度也越來越小,比如2011年到2015年每年提升幅度只有12%,2015到2018年提升幅度只有3%了。在這個問題上,GF說的其實也沒什麼錯,摩爾定律在28nm節點之後就放慢了,認為摩爾定律已死的也大有人在,英特爾本是摩爾定律最堅定的捍衛者,不過在14nm節點之後工藝升級也放慢了。

對半導體工藝來說,越先進肯定越好,但不是說不先進的工藝就沒活路了,普通人通常只關注先進的工藝,但是GF不投資7nm及以下的節點之後,也不代表他們的市場前景就暗淡了,實際上12nm以下的工藝在整個代工市場上並不佔多數,12nm以上的市場今年依然有560億美元的空間,2020年還會增長到650億美元。

在製程工藝方面,GF除了會堅持現有的14/12nm FinFET工藝之外,未來的重點則是FD-SOI工藝,目前量產的就是22nm FD-SOI工藝,簡稱22FDX,未來還會有12FDX工藝。在22FDX工藝上,雖然功耗上可能不如14/12nm FinFET工藝,但在投資、成本上22FDX工藝是有優勢的,比如今成熟的28nm工藝也有成本上的優勢。

GF公司的22FDX工藝已經獲得了客戶的認可,他們早前就公告稱已經獲得了超過20億美元的訂單,涉及IoT、工業、汽車電子、網路、加密貨幣、移動、數模等等多個市場。

GF公司在收購IBM公司晶圓業務之後獲得了不少專利及技術,尤其是在RF射頻方面,所以RF晶元也成為他們的一個重點,喊出的口號是「Thingk RF?Think GF First。」,直接讓大家把RF跟GF掛鉤。

我覺得GF轉行搞一些不太重要的晶元挺好的,比如晶元組,FPGA之類的。這些地方不需要高性能,成本低就行。能把工藝優化好也是更好了,畢竟納米數只是一個值,實際塞入多少晶體管才是真的道理。祝GF成為小三順利,早日奪愛!

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新聞3:GPU不再擠牙膏,英特爾10nm冰湖處理器核顯爆發

儘管英特爾最近遭遇了14nm產能危機,10nm處理器也要延期到明年底推出,桌面版要想上10nm工藝可能要等到2020年了,不過樂觀點看的話,英特爾的10nm工藝還是有不少亮點的,第一代的10nm Cannonlake處理器要被廢了,英特爾會直接上10nm Ice Lake冰湖處理器,架構、工藝都會升級,CPU部分會不會繼續擠牙膏不好說,但是GPU核顯部分是不會擠牙膏了。

最新信息顯示10nm冰湖處理器的GPU會有64組EU單元,512個ALU單元,遠高於現在的24組EU單元規模,性能會有數倍提升。

在10nm節點,英特爾也規劃至少三代處理器——Cannonlake大炮湖、Ice Lake冰湖及Tiger Lake,不過第一代10nm Cannonlake處理器除了有一個Core i3-8120U試水之外,之後應該沒後續了,現在的跡象顯示英特兒真正大規模量產的是第二代10nm工藝的Ice Lake冰湖處理器,這個處理器現在也給廠商送測樣品了,之前曝光過幾次,現在最新曝光的是惠普103C_5335KV台式機,使用了了Gen 11 LP核顯,處理器型號還沒有明確標識。

測試平台使用的是東芝SSD及16GB DDR4內存,主板晶元組也沒識別出來,不過核顯是Gen 11 LP,處理器是10nm冰湖的某個型號沒跑了。

CPU方面,測試的10nm冰湖處理器還是2C/4T的,頻率也只有1.3GHz/1.6GHz,L2緩存512KB,L3緩存8MB——L3緩存方面以往的雙核型號往往是3MB或者4MB緩存,下一代會大幅提升到8MB,如果沒有識別錯誤的話。

變化最大的還是核顯部分,10nm冰湖處理器使用了Gen 11 LP架構的核顯,64組CU單元,512個ALU單元,目前6到8代酷睿處理器中GT2核顯都是24組EU單元,GT4e級別最多72組EU單元,GT3e是48組CU單元,因此只看核顯規模的話,10nm冰湖處理器的GPU性能也會有大幅提升了,而之前有爆料稱Gen 11核顯的性能是Gen 10的2倍,而現在使用的核顯還是Gen 9.5架構的。

不過從128MB緩存來看這個核顯更可能是Iris或者Iris Pro級別的核顯,GPU規模比常規的GT2版肯定要更強。

考慮到英特爾現在的戰略是提升GPU性能,不只是是推高性能獨顯,核顯GPU也會因此受益,因此下下代的酷睿處理器核顯性能應該會有一波爆發,雖然2020年的時候AMD、NVIDIA的入門級獨顯性能也會提升,但是英特爾提升核顯性能對非重度遊戲玩家來說還是好事,不僅給AMD、NVIDIA更大競爭壓力,也能讓核顯性能不再雞肋,至少在中等畫質1080p下玩單機遊戲吧。

我一直不明白為什麼到現在八代i7都沒有公布晶體管數量,面積的話,149mm2倒是挺小的。我們假設來猜一猜這個核心面積會有多大。

i3的核心面積大概在126mm2,i7的核心面積是149mm2,那也就是說兩個核心的面積在23mm2左右。所以未來的八核面積估計在172mm2左右。而如果EU單元直接翻倍到72組,也就是原來核顯規格的三倍。核顯面積大概是149-23-23-23=80mm2。那也就是172+80+80=332mm2,稍微考慮一下工藝優勢,估計大概就在300mm2左右了。歷史上有那麼大的核心,也就只有FX了。要說intel這麼搞不太可能吧。如果換成48EU+8核規格,面積也達到了252mm2。第二代酷睿也就216mm2而已。不過這個推算本身也只是推算,不一定準。況且牙膏廠的10nm都不知道能不能出來,大炮湖都不知道會不會真的是大炮湖(就不能叫加農湖嘛,大炮湖……)。而且還有一個更關鍵的問題:我是來買CPU的,不是來買核顯的!

新聞4:降了一碗面

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引用鏈接:

https://www.cnbeta.com/articles/tech/771899.htm

https://www.cnbeta.com/articles/tech/771905.htm

https://www.cnbeta.com/articles/tech/771889.htm


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