供過於求加上旺季不旺，DRAM第四季合約價跌幅恐擴大至5%

根據集邦諮詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調查，時序進入9月下旬，正值各家廠商議定第四季合約價的關鍵時機，但受到位元產出持續增加，以及旺季需求並未明顯增溫的影響，價格走弱的態勢更為明顯，DRAM第四季合約價跌幅將由原先預估的季跌1~3%，擴大至約5%。

DRAMeXchange資深協理吳雅婷指出，DRAM價格在過去九個季度期間大幅上揚，但從今年第三季起價格已經開始走弱，其中PC DRAM與伺服器內存價格漲幅縮小至1~2%，而行動式內存價格在旺季僅持平開出，繪圖用內存更率先出現跌價。

觀察現貨市場狀況，價格從年初一路下滑，並在今年6月底開始正式低於合約價，而目前的現貨價格已經低於合約價格約10%，顯示後續合約價格仍將繼續下跌。

伺服器內存跌幅擴大，DRAM整體市況轉弱

從伺服器內存市場來觀察，受惠於平台轉換與數據中心建設帶動，伺服器需求比往年來的熱絡，但今年上半年因DRAM供給仍吃緊，導致終端紛紛以超額訂單(double booking)的方式維持穩定貨源。

第三季隨著原廠持續提升伺服器產品的產出比重，供給達標率已轉趨飽和。展望第四季，除了伺服器需求出現雜音外，目前由於渠道價格持續開低，韓系原廠已率先降低第四季價格目標，預估季跌幅將達5%左右，高於原先預期的2%。

與伺服器內存產品屬性較為相近的PC DRAM同樣呈現供過於求，再加上Intel新平台供貨不足影響筆電出貨狀況，導致PC DRAM第四季價格跌幅也上看5%。

利基型內存則受到中美貿易摩擦帶來的不確定性因素影響，需求已出現下修，價格也從九月開始下跌，第四季的跌幅更可能超過PC DRAM與伺服器內存。

佔整體供貨比重最大的行動式內存價格同樣呈現下滑趨勢。展望第四季，雖然在新款iPhone出貨的拉升下，需求逐漸增溫，但由於新款機種的定價高於市場預期，銷售預估轉為保守，因此難以反轉DRAM供過於求的態勢。

預估分離式(discrete)行動式內存第四季價格跌幅約在3%，eMCP解決方案則因NAND Flash價格下滑更為快速，整體跌幅可能擴大至8%。

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