主攻96層3D NAND 英特爾大連工廠二期正式投產

日前，英特爾大連工廠二期項目正式投產。

據遼寧日報報道，9月21日英特爾大連非易失性存儲二期項目舉行了投產啟動儀式，將採用96層3D NAND存儲晶元製造技術實現量產。

2006年7月，英特爾與大連市政府簽署了總發展協議，在大連建設佔地面積60公頃的英特爾半導體（大連）有限公司，投資25億美元建設12英寸晶圓廠（Fab 68晶圓廠），該工廠於2007年奠基、2010年正式投產。

2015年10月，英特爾宣布投資55億美元將大連工廠升級為非易失性存儲技術製造工廠，2016年7月初實現提前投產。2017年3月，英特爾大連非易失性存儲項目啟動第二階段的項目擴建工程，主要生產非易失性存儲器晶元，如今二期項目實現建成投產。

英特爾全球副總裁、全球非易失性存儲事業部總經理凱文·埃斯法亞尼和英特爾全球副總裁、英特爾半導體（大連）有限公司總經理梁志權表示，英特爾大連項目的發展速度超出總部預期，特別是英特爾二期投資項目在最短時間內實現投產，創造了英特爾工廠建設歷史的新紀錄。

啟動儀式上，英特爾宣布新投產的非易失性存儲二期項目將採用世界最先進的96層3D NAND存儲晶元製造技術實現量產。

據悉，為應對旺盛Server SSD需求，英特爾大連工廠二期目標在2018年底增加一倍的3D-NAND Flash產能。媒體報道稱，大連工廠未來將成為英特爾NAND快閃記憶體的最核心生產基地，會貢獻大約70％的產能。

集邦諮詢數據顯示，今年第二季度英特爾在全球NAND Flash市場的市佔率為6.6%、排名第六，遠落後於三星、東芝，且其SSD產品主要集中在企業級、數據中心等市場，消費級市場上鮮見身影。

業界認為，英特爾在NAND Flash市場落後的原因在於其此前沒有獨立的NAND Flash產能，如今大連工廠二期投產後，英特爾是否能為NAND Flash市場帶來變化，這值得期待。

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