9月30日，中國領先的嵌入式存儲晶元設計公司東芯半導體與紫光宏茂微電子共同宣布，雙方初步達成了建立戰略合作關係的一致共識，將就嵌入式存儲晶元的封裝測試進行全面合作，促進行業發展。

東芯半導體總經理王超等一行於9月29日與紫光宏茂董事長和總經理等舉行了會晤，在互相介紹了雙方公司近況後，雙方就構建戰略合作夥伴關係達成一致共識。並就雙方的合作項目進行了細緻的磋商。

據悉，後續雙方簽署了正式的戰略合作協議後，東芯半導體將與紫光宏茂在嵌入式存儲領域封裝測試展開全面的合作。

東芯半導體總經理王超表示，本次與紫光宏茂達成戰略合作，極大地豐富了公司在國內封裝測試領域生產環節，保障了公司在國內從設計、製造到封測的全產業鏈能力。本次合作不僅能夠幫助雙方進一步提升整體運營效率、降低運營成本、優化產業模式，還將提升公司在存儲行業的地位，加快推動國產嵌入式存儲的大規模應用，加快國家存儲器戰略的實施。

紫光宏茂表示很高興與東芯開展合作，共同推動國內嵌入式存儲晶元產業的發展，實現雙贏。

關於東芯半導體

作為我國領先的嵌入式存儲晶元設計公司，東芯半導體聚焦於中小容量的NOR Flash、NAND Flash晶元的設計、生產和銷售，並具有DRAM產品設計能力，是目前國內唯一可以同時提供NAND、NOR、DRAM設計工藝和產品方案的本土存儲晶元設計公司，專註於為移動及消費類需求提供多樣化的產品解決方案。

東芯半導體成立於2014年11月，註冊資金約2.8億元，在中國大陸、中國香港、韓國都設有研發及分支機構，控股股東為東方恆信。公司於2015年4月收購了韓國知名存儲晶元廠商Fidelix25.28%股權，成為其第一大股東。目前，公司已完成A輪融資，引入了中芯聚源、中金鋒泰等戰略股東。

產品方面，東芯半導體於2014年12月聯合中芯國際共同開發了24nm的NAND Flash，於2015年10月成功流片國內首顆38nm1G SPI NAND晶元，於2016年7月成功流片國內首顆24nm4G SLC NAND晶元，於2017年9月成功流片國內首顆38nm2G SPI NAND，使得中國存儲晶元設計能力與國際先進的差距不斷縮小。

關於紫光宏茂

紫光宏茂微電子為紫光集團與南茂科技的合資公司，其於2002年起便專註於存儲器的封裝與測試，有多樣化的封測程解決方案，先進的生產工藝及豐富的技術團隊，具有完善的品質體系，公司成立初期便通過汽車質量體系認證，並擁有十餘年的車規產品生產經驗，完備的可靠性及失效分析的實驗能力。

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