中國半導體投資有望增至萬億，專家提醒避免三大誤區

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在10月11日舉行的廣州2018小蠻腰科技大會上，中國晶元如何破局成為熱點話題之一。厚生利用投資創始合伙人兼總裁欒凌預測，中國半導體投資未來十年將增至10000億元。而深圳半導體協會秘書長常軍鋒提醒說，國內晶元投資要避免大而全、半途而廢、短期超越三大誤區。

晶元投資將達萬億

欒凌介紹說，半導體晶元短板已成為中國人工智慧產業發展的挑戰之一。隨著互聯網、社交媒體、移動設備的大量普及，以及5G和物聯網的快速發展，市場對存儲晶元的需求增加，而人工智慧晶元技術的高速迭代又催生出各類AI專用晶元。

目前在集成電路領域，美國擁有英特爾、高通、德州儀器、博通、Nvidia、美光等半導體巨頭。2017年公開數據顯示，總部設在美國的半導體公司銷售額佔了全球銷售份額的46%。

中國代表性的半導體企業，正在奮起追趕。2000年成立的中芯國際，目前14納米製程已接近研發完成，距離2019年量產的目標似乎已經不遠，一旦實現目前由海外代工的部分產品將有望回歸國內代工。華為海思，2017年以47.15億美元的銷售額成為全球第七大晶元設計公司，增長率達到21%；海思的麒麟980晶元是全球首款7納米人工智慧手機晶元，在AI運算能力上領先。

在人工智慧晶元領域，出現了寒武紀、深鑒科技、地平線多家晶元公司。如寒武紀今年6月完成數億美元B輪融資，投後估值25億美元；阿里巴巴成立平頭哥半導體有限公司，四個主攻方向包括AI晶元、嵌入式晶元、量子計算晶元和物聯網晶元。

國內資本快速進入半導體領域，包括北京、上海、廣東等在內的十幾個省市已成立專門扶植半導體產業發展的地方政府性基金，撬動地方集成電路產業投資基金超過5000億元。欒凌預測，「考慮政府資金對產業資本和金額資本的帶動，未來十年投向集成電路產業的資金預計達到萬億級別」。

避免三大誤區

面對國內湧現的半導體投資熱潮，深圳半導體協會秘書長常軍鋒冷靜地說，半導體產業鏈很長：一是半導體支撐業，包含半導體材料、半導體設備；二是半導體行業，包括分立器件、集成電路，集成電路又分IC設計、製造和IC封測三個環節；三是PC、通信、消費電子、汽車等應用終端。

常軍鋒指出，在半導體產業鏈里，中國目前最薄弱的環節，是基礎材料研究和先進設備製造；其中，集成電路領域，2000年後中國飛速追趕，設計、製造和封測三個環節里最薄弱是製造；相比之下，中國或者說珠三角最有優勢在於龐大的半導體應用產業鏈。

晶元製造的關鍵設備領域，包括光刻機、刻蝕機和EUV設備。目前荷蘭ASML佔了光刻機市場80%的份額；尼康、佳能佔了餘下20%的份額；德國蔡司鏡片、荷蘭ASML生產的EUV設備獲得了英特爾、三星、台積電三大客戶。中國半導體設備由於技術差距，市場份額僅為全球的15%。

半導體材料領域，據SEMI（國際半導體產業協會）的報告，2017年全球半導體材料市場銷售額469億美元，增幅為9.6%。生產半導體晶元需要的19種材料中，日本企業在硅晶圓等14種重要材料方面均佔有50%及以上的份額，而中國半導體材料的銷售額佔全球比重不足5%。

集成電路製造領域，據拓墣產業研究院報告，2017年全球晶圓代工總產值約573億美元，同比增長7.1%。2017年10納米製程開始放量，成為晶圓代工產值增長最重要的引擎。目前，台灣地區的台積電是全球晶圓代工的龍頭，佔了全球市場份額的59.7%。

所以，常軍鋒對中國半導體投資提出幾點建設：一是半導體設備和材料，國家主導引導，科研參與，企業產業化，要有長期奮鬥10~30年的目標；二是半導體設計，社會投資資本介入，爭取5~10年有設計能和核心技術突破；三是半導體封測，社會投資資本介入，爭取做大做強；四是半導體製造，國家引導，社會投資資本介入，爭取在5~10年內縮小與世界先進水平的差距；五是半導體應用，配合半導體產業國產化的發展進程。另外，半導體產業的人才培養機構和公司，也有投資價值。

針對全國各地、多個行業都湧現的半導體投資熱潮，常軍鋒在接受第一財經記者採訪時特別提醒，要避免三大誤區。首先，投資不要大而全。全球半導體產業已經形成生態鏈，各地投資不要大而全，要「有所為、有所不為」，形成全國一盤棋，不宜盲目跟風。

其次，投資要防備曇花一現。一些企業沒有充分認識到晶元行業的水有多深，可能要爬50樓，它爬20樓就不爬了，那麼前面的投入就會打水漂。像英特爾2017年研發投入131億美元，佔全球半導體研發投入前十強企業的研發投入總額的36%，所以要有持續投入的準備和能力才出手。

第三，彎道超車不易。物聯網時代，人工智慧晶元碎片化的需求給中國企業更多機會。但是，國外半導體巨頭的投入也在持續增加，還通過國際標準、行業標準、專利保護建立了技術壁壘，所以很難彎道超車。中國企業可以在5G通訊晶元設計等領域重點突破，儘力補上晶元材料、設備和製造等短板，要打持久戰，花5~10年縮小晶元設計差距，花10~30年縮小晶元材料、設備差距。

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