國產內存加速：紫光新基地開工 要加快生產3D快閃記憶體

紫光正在加快國產內存的腳步，之前他們曾表示，旗下DDR4晶元正在開發中，預計年底前完成並推向市場。

據中新網報道稱，紫光成都存儲器製造基地項目已經在昨天正式開工，而趙國偉表示，這個基地未來將在投資240億美元建設新的快閃記憶體工廠，主要生產3D NAND快閃記憶體。

按照紫光的說法，目前他們還在研發128層堆棧的256Gb核心3D NAND快閃記憶體，而今年年底將會量產32層64Gb核心的3D NAND快閃記憶體，明年會量產64層堆棧128Gb核心容量的快閃記憶體。

相比紫光來說，2019年開始中國大陸地區將有三家存儲晶元廠竣工並投入量產內存、快閃記憶體，其中進展最快的是長江存儲，其正在研發64層的3D NAND快閃記憶體，計劃在2018年年底前推出樣品。至於合肥長鑫、福建晉華基本將LPDDR4晶元量產時間定於2019年上半年。

另外，紫光之前還曾表示，在DRAM內存晶元上，該公司已具備世界主流設計水平，但是產能無法保證，產品銷量不會太大。

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