三星宣布7nm LPP EUV、QLC SSD、SmartSSD和256GB 3DS RDIMM等技術突破

作為全球半導體技術的領導者，三星在日前舉行的三星技術日公布了其在半導體領域的最新突破：包括晶圓代工、NAND Flash、SSD以及DRAM的下一代技術。這些發展標誌著三星半導體業務邁出了一大步：

▇三星代工業務7nm EUV工藝節點在功率，性能和能效方面取得了重大進展；

▇SmartSSD是一種現場可編程門陣列（FPGA）SSD，可加速數據處理以及擺脫伺服器CPU限制；

▇QLC-SSD適用於企業和數據中心，每個單元的存儲容量比TLC-SSD多33％，可在提高存儲空間的同時優化成本（TCO）；

▇256GB 3DS RDIMM基於10nm 16Gb DDR4 DRAM，可提供更高的性能和更低的功耗。

三星半導體公司總裁JS Choi表示：「三星的技術領先地位和產品廣度是無與倫比的，目前三星7nm EUV已投入量產。此外，SmartSSD和256GB 3DS RDIMM的發布代表了三星在性能和容量方面的突破。三星在半導體領域的這些突破將為下一代數據中心、高性能計算（HPC），企業級應用、人工智慧（AI）及新興應用提供強大動力。」

三星7nm LPP（Low Power Plus）EUV工藝節點的量產代表了半導體製造的一個重要里程碑。對比10nm FinFET，三星7nm LPP可實現能效提升40%、性能增加20%、功耗降低最多50%。7nm LPP工藝的投產展示了三星代工業務的技術路線圖演變，也為未來3nm工藝奠定了基礎。

三星通過新的SmartSSD， QLC SSD，256GB 3DS RDIMM以及高帶寬內存HBM2等產品，為最先進的無伺服器計算供應商提供支持。通過加速數據處理，擺脫伺服器CPU限制並降低電力需求，這些產品將幫助數據中心運營商在控制成本的同時以更快的速度進行擴展。

SmartSSD通過將智能推向數據所在的位置來提高速度和效率，並降低運營成本。傳統上，處理數據的移動導致延遲和能量消耗增加，同時降低了效率。SmartSSD通過將FPGA加速器集成到SSD單元中來克服這些問題。這樣可以擺脫伺服器CPU限制，從而加快數據處理速度。因此，SmartSSD具有更高的處理性能，更多的虛擬機（VM）以及可擴展的性能，更好的重複數據刪除和壓縮，更低的功耗和更少每個系統的CPU。

針對未來數據中心應用，三星還將推出業界領先的Key Value（KV）-SSD和Z-SSD。KV-SSD可消除塊存儲效率低下，並降低延遲，允許數據中心性能在CPU架構最大化時均勻擴展。三星下一代Z-SSD將是業界有史以來最快快閃記憶體產品，具有雙埠高可用性，超低延遲和U.2外形，旨在滿足企業客戶的新興需求。

三星新解決方案不僅能夠實現更快的速度和更高的性能，還能提高企業客戶的效率。在當日展出的企業級產品D1Y 8Gb DDR4伺服器DRAM，採用最先進的DRAM工藝，可降低功耗。三星的256GB 3DS RDIMM還有助於提高企業效率，支持內存密集型伺服器，最高容量可達16TB。8GB Aquabolt可提供目前市場上基於DRAM的內存解決方案的最快數據傳輸速度和最高性能。

三星全面的產品組合採用最先進的解決方案，為數據處理速度，容量，帶寬和節能設立了新標準。通過利用此類解決方案，數據中心，企業應用，超大規模和新興技術平台能夠根據需求配置產品解決方案，並開發更先進的新技術產品，如5G，AI，企業和超大規模數據中心，汽車，網路應用等。

三星將繼續推動半導體技術創新，例如基於單一結構的第六代V-NAND，或採用「1-stack技術」，以及採用EUV生產低於10nm的DRAM，實現超高密度和高性能，繼續推動未來半導體技術的發展。

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