SK海力士4D 96層 NAND宣布量產，後期產能或將持續擴大

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SK海力士宣布推出全球首款96層512Gb CTF 4D NAND晶元，採用3D CTF (Charge Trap Flash)設計，搭配PUC（Peri.Under Cell）技術。SK海力士將在今年內開始初步量產96層4D NAND，單顆Die容量512Gb ，相當於64GB存儲。

SK海力士首次將3D CTF與PUC技術結合在一起，這種技術與將3D浮柵和PUC集成的方式有所不同。採用這種技術可獲得最好的性能和產能。SK海力士將該產品命名為「基於CTF的4D NAND晶元」，以區別於當前的3D NAND技術。

與SK海力士72層512Gb 3D NAND相比，4D NAND晶元尺寸減少了30％以上，每片wafer的bit生產率可提高49％。寫入速度提高30％，讀取性能提高25％。此外，數據帶寬增加一倍。隨著多柵極絕緣體結構的引入，在1.2V工作電壓下，其數據I / O速度可達1,200Mbps。

今年8月，SK海力士已經宣布將通過各種4D NAND應用來提高解決方案的市場競爭力。

最重要的是，憑藉96層512Gb 4D NAND，SK海力士將在今年推出搭配自家控制器和固件的1TB消費級SSD。企業級固態硬碟將於2019下半年推出。SK海力士還將在2019年上半年推出UFS 3.0，以響應高密度移動設備市場。此外，SK海力士還將於2019年推出超高密度96層1Tb TLC和QLC。

SK海力士快閃記憶體營銷主管J.T. Kim 表示：「最新推出的基於96層CTF的4D NAND具有業界最高的成本競爭力和性能，將成為公司快閃記憶體晶元業務的里程碑，我們計劃在今年內開始大規模量產，並進一步擴大M15工廠產能，以積極響應客戶和市場的需求。」

除了SK海力士，三星、東芝/西部數據、美光/英特爾等陣營也均加快96層3D NAND技術的推進速度，且進入QLC元年。現在各家原廠正在搶佔先機，但是新技術總會遇到過渡不順，初期量產良率偏低等問題，就讓我們拭目以待吧！但可以預見的是，未來NAND Flash的bit供應量將會進一步增加，TB時代也已經到來。

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