SK海力士研發「最強」快閃記憶體 處理速度提升

【手機中國新聞】近日，SK海力士宣布：「公司將主要應用於3D快閃記憶體的CTF結構與PUC技術結合起來，在上月領先全球率先研發出96層512Gbit的4D Nand快閃記憶體半導體，計劃在今年年內進行第一批量產」。96層Nand快閃記憶體將為三星電子和東芝半導體在今年下半年投入生產，是目前性能最強的快閃記憶體之一。

SK海力士研發「最強」快閃記憶體 （圖片來自網路）

SK海力士在去年4月研發出72層3D Nand快閃記憶體之後，用了短短1年半就攻克了96層半導體技術，這種半導體體積比現在的72層512Gbit 3D Nand快閃記憶體縮小了30%以上，可以搭載到智能手機移動零部件之中，每張面板可以生產的記憶容量(bit)提升1.5倍，可同時處理的數據量更是提升一倍至業界最高水平的64KB，一個新的晶元產品可以取代2個原來的256Gbit 3D Nand快閃記憶體。SK海力士強調，「新晶元的讀寫能力分別比現在的72層產品提高了30%和25%」。

SK海力士之所以自稱「全球首次」，是因為該公司不同於其他半導體公司採用的2D Nand浮柵型快閃記憶體單元技術，而是將3D Nand使用的電荷擷取快閃記憶體(CTF，Charge Trap Flash)結構與外圍電路(PUC，Peri Under Cell)構造結合起來開發出了新的技術。PUC技術將用來驅動晶胞的周邊電路堆疊在儲存數據的晶胞陣列下方，相當於將公寓樓(Nand快閃記憶體)所需要的停車場從公寓旁邊改建到了地下空間，以此方式提高空間使用效率。

SK海力士公司常務金正泰表示：「給予CTF技術的96層4D Nand快閃記憶體擁有業界最頂級的性能和成本優勢」，「我們還正利用相同技術研發新一代128層4D Nand快閃記憶體」。

此外，SK海力士計劃在年內推出搭載「4D Nand」內存，這款產品擁有1TB容量固態硬碟（SSD）將會成為半導體存儲信息中新一代大容量儲存設備。

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