10納米DRAM製程競爭升溫，SK海力士、美光加速追趕三星

10納米級DRAM先進位程競爭逐漸升溫，三星電子在2017年率先宣布量產第二代10納米(1y)製程DRAM，目前傳出進入第三代10納米(1z)製程開發。SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)也在不斷加速先進位程研發速度，追趕三星，預計2019年起將陸續展開第二代10納米(1y)製程DRAM量產。

據韓媒News 1的報導，SK海力士預計2018年底前，完成第二代10納米(1y)製程開發，2019年起投入1y納米製程DRAM量產。目前SK海力士大陸無錫廠，正在進行無塵室擴建工程，預計2018年底完工後，就可開始建立1y納米製程量產體系。

SK海力士從2018年起正式投入第一代10納米(1x)製程量產，上半年1x納米DRAM製程比重占所有DRAM產品的20%以上。業界認為SK海力士10納米級DRAM製程比重，在2019年的比重將超過半數。

美光也傳出將從2018年底左右導入1y納米製程量產。美光2018年初已開始量產1x納米製程DRAM，年底可望進入1y納米製程初步生產階段，2019年正式量產1y納米製程DRAM，2020年計划進入1z納米製程。

業界認為，從20納米進入1x製程已相當不容易，接下來的10納米級1y及1z製程就更為困難，如何在轉換至更先進位程的同時確保量產效率，成為關鍵。

面對SK海力士及美光在10納米級DRAM製程上的全速追趕，DRAM龍頭三星，正全力拉大與追兵的領先差距。2017年11月三星率先宣布量產1y納米製程的伺服器DRAM，2018年7月又將1y納米製程用於Mobile DRAM。

三星相關人士表示，2018年底三星10納米級DRAM產品比重，將佔全體DRAM產品的70%以上，以投入晶圓為基準，目前10納米1x製程比重已經超過一半，三星掌握市場主導權，領先競爭對手1年左右，預計2019年可完成第三代10納米(1z)製程開發。

此外，10納米以下的次世代DRAM，三星計劃導入極紫外光(EUV)設備製程。稍早2018年2月起，三星平澤廠，已開始著手建立EUV專用生產線，以目前施工進度來看，最快2019年上半，就可陸續移入生產設備，並且可望於2019下半年或2020年初進入試產階段。

另一方面，DRAM市場最近不斷傳出負面看法，加上中美貿易戰不斷擴大戰火，DRAM市場前景籠罩不安，再加上Q4是傳統的淡季，未來價格持續走跌的可能性相當大。此外，三星及SK海力士也曾預測，認為2018年Q4至2019上半年，DRAM市場需求的成長走勢將出現鈍化。

來源：DIGITIMES

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