SK 海力士研發出1Ynm 8Gb DDR4內存條

IT之家11月12日消息 根據外媒TechPowerup的消息，SK海力士公司宣布已開發出1Ynm 8GB DDR4 DRAM。與上一代1Xnm DRAM相比，該產品的效率提高了20％，功耗降低了15％以上。它還支持高達3,200Mbps的數據傳輸速率，這是DDR4介面中最快的數據處理速度。該公司採用「4相時鐘」方案，使時鐘信號加倍，以提高數據傳輸速度和穩定性。

SK海力士還推出了自己的Sense Amp 控制技術，以減少功耗和數據錯誤。SK海力士改進了晶體管結構，降低了數據錯誤的可能性。該公司還降低了晶元的功耗，以防止不必要的損耗。

「這款1Ynm 8GB DDR4 DRAM為我們的客戶提供了最佳的性能和密度，」DRAM營銷主管Sean Kim說。「SK海力士計劃從明年第一季度開始出貨，積極響應市場需求，」他補充說。

SK海力士計劃將1Ynm技術流程擴展到伺服器和PC領域，後來擴展到其他各種應用，如移動設備。

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