SK海力士1Ynm DDR4晶元研製完成：功耗減15%

SK Hynix（SK海力士）宣布研發完成基於1Ynm工藝的8Gb（1GB）容量DDR4 DRAM晶元。該晶元最高支持3200Mbps，即3200MHz頻率，號稱可以提供最佳的性能和容量密度。技術指標方面，相較於1Xnm，1Ynm晶元的生產率提高了20%，功耗降低了15%。

SK海力士還表示，新的1Ynm晶元還顯著提高了感測器精準度、調整了晶體管結構，使得數據傳輸的出錯率降低。官方稱，1Ynm DDR4 DRAM晶元將於明年一季度出貨，率先用於伺服器和PC產品上，最後向手機等領域推廣。

科普：

在存儲晶元從20+nm進入10+nm工藝之後，廠商對工藝的描述已經不再使用具體的數字了，20nm之後是1x nm工藝，再往後則是1y nm工藝，還有1z nm工藝的說法，至於XYZ具體的含義，由於每家公司的工藝並不一樣，所以缺少詳細的解釋。

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