SK海力士發布1Ynm 16Gb DDR5 2020年大規模量產

韓國第二大晶元製造商SK海力士周四表示，下一代DRAM已經開發完成。

這款全新的16Gb DDR5將提供更快的速度、以及更高的電源效率，以滿足大數據、人工智慧和機器學習等領域的需求。

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圖片來源：拍信網

DDR5是下一代DRAM標準，與上一代標準DDR4相比，具有超高速和高密度，功耗更低。新產品採用了與DDR4 DRAM相同的1Ynm工藝技術，這也是SK海力士近期發布的新技術。

SK海力士表示，DDR5 DRAM的功耗比之前的DDR4低30％。儘管功耗較低，但DDR5的數據傳輸速率每秒可達到5,200兆比特，這個表現比DDR4的3,200 Mbps速率還要快近60％。這個速度相當於在一秒鐘內處理41.6 Gb的數據，或處理將近11個大小為3.7 Gb的全高清視頻。

SK海力士計劃將從2020年開始大規模生產DDR5產品。因為隨著目前數據密集型應用的不斷增長，市場對更快、更節能的內存晶元需求也會逐漸上升，預計在2020年時會迎來需求峰值。

SK海力士表示，其最新的16Gb DDR5是業界首款滿足JEDEC規範標準的產品。而JEDEC是一家半導體貿易和工程標準化組織。在邁向正式商業化的過程中，SK海力士表示已經確定了一個客戶端晶元製造商，但名字未透露。

「基於技術的進步，使業界首款DDR5 DRAM符合了JEDEC標準，SK海力士計劃從2020年開始大規模生產該產品，屆時DDR5市場將開放，以積極響應客戶的需求，」SK海力士副總裁兼量產產品設計組負責人Cho Joo-hwan表示。（編譯：Kevin）

內容參考：

http://www.koreaherald.com/view.php?ud=20181115000668

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