中國找到突破晶元之困的道路，重大科研項目終於通過驗收！

導讀：自從中興危機給我們敲響警鐘已來，關於中國的科技產業如何突破晶元之困一直是困擾大家的問題之一，不過如今這一問題已經得到答案，並且我們已經看到了曙光了！

目前為止困擾中國破破晶元之困主要在三大方向，一個是最底層的指令集問題，一個是如何打造生態系統問題，另外一個就是生產的問題，而今天我們一個重大的科研裝備項目通過驗收，證明了我們解決最後一個生產的問題已經找到了道路，並且它將會變成現實！

據悉：中國一國家重大科研裝備研製項目「超分辨光刻裝備研製」29日通過驗收。這個光刻機是中國科學院光電技術研究所研製。來自中科院的院士許祖彥等專家組表示：該光刻機在365納米光源波長下，單次曝光最高線寬分辨力達到22納米。結合雙重曝光技術後，未來還可用於製造10納米級別的晶元。項目在原理上突破分辨力衍射極限，建立了一條高分辨、大面積的納米光刻裝備研發新路線，繞過國外相關知識產權壁壘。

大家都知道我們在晶元生產落後最多的就是光刻機的部分，甚至有悲觀的人認為我們再過幾十年也達不到世界最先進的光刻機生產，因為光刻機的生產並不是光靠錢就能解決的問題，而全世界能生產最先進光刻機也就只有荷蘭的ASML，不過現在這一困難正在被中國打破！

其實光刻機的生產受到很多光學原素的阻礙，而且每進一代光刻機生產的困難度將呈幾何數增加，為了解決光刻機的問題我們不能現延用荷蘭生產光刻機的部分，我們只能另尋他路，找到擁有自主知識產權的光刻機。

據這個項目的副總設計胡松介紹說：中科院光電所此次通過驗收的表面等離子體超分辨光刻裝備，打破了傳統路線格局，形成一條全新的納米光學光刻技術路線，具有完全自主知識產權，為超材料/超表面、第三代光學器件、廣義晶元等變革性領域的跨越式發展提供了製造工具。這種超分辨光刻裝備製造的相關器件已在中國航天科技集團公司第八研究院、電子科技大學、四川大學華西醫院、中科院微系統所等多家科研院所和高校的重大研究任務中得到應用。

其實中國在解決晶元問題上已經找到其中兩個的道路，生產光刻機方面我們有了自己的等離子體超分辨光刻裝備，而要解決指令集我們則可以用RISC-V，倪光南院士認為RISC-V是未來與ARM，英特爾三足鼎立的指令集，由於它的開源我們不用擔心會被美國掣肘！且我們還可以修改這個指令集！

然後最後一個問題就是生態問題，這就是需要我們廣大的企業家們和我們每個人都去支持才能打造成功生態！在這個方面中國的企業家們已經在行動，當我們用開源RISC-V指令集設計，然後用自己的光刻機製造晶元，我們再大力支持這些東西，中國突破晶元之困就指日可待了，讓我們祝福中國的晶元產業吧！

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