繼NOR Flash、MCU之後，武漢新芯晶圓級三維集成技術研發成功

12月3日，武漢新芯對外宣布稱，基於其三維集成技術平台的三片晶圓堆疊技術研發成功。

武漢新芯的晶圓級集成技術可將三片不同功能的晶圓（如邏輯、存儲和感測器等）垂直鍵合，在不同晶圓金屬層之間實現電性互連。與傳統的2.5D晶元堆疊相比，晶圓級的三維集成技術能同時增加帶寬，降低延時，提高性能，降低功耗。

武漢新芯技術副總裁孫鵬表示，三維集成技術是武漢新芯繼NOR Flash、MCU之外的第三大技術平台。武漢新芯的三維集成技術居於國際先進、國內領先水平，已積累了6年的大規模量產經驗，可為客戶提供工藝先進、設計靈活的晶圓級集成代工方案。」

武漢新芯成立於2006年，由省市區三級政府集體決策投資107億，建設中部地區第一條12英寸集成電路生產線，2008年建成投產。2016年，在武漢新芯基礎上，紫光集團、國家集成電路產業投資基金、湖北集成電路產業投資基金、湖北省科技投資集團共同出資組建長江存儲科技有限責任公司，武漢新芯整體併入長江存儲，成為長江存儲全資子公司。

武漢新芯自2012年開始布局三維集成技術，並於2013年成功將三維集成技術應用於背照式影像感測器，良率高達99%，隨後陸續推出硅通孔（TSV）堆疊技術、混合鍵合（Hybrid Bonding）技術和多片晶圓堆疊技術。

晶圓級的三維集成技術為後摩爾時代晶元的設計和製造提供了新的解決方案，在對帶寬、性能、多功能集成等方面有重要需求的人工智慧和物聯網領域擁有頗為廣泛的應用前景。

喜歡這篇文章嗎？立刻分享出去讓更多人知道吧！