存儲業務壓力大，三星2020推3nm工藝，提高晶圓代工增加獲利

2018年NAND Flash價格持續大跌，DRMA漲價也告一段落，價格也在持續下滑。市場預計NAND Flash和DRAM跌價將在2019上半年持續發酵。在價格下滑的衝擊下，存儲廠商營收將受到影響，再加上智能型手機需求下滑，三星正在提高晶圓代工的競爭力，3nm工藝已經完成了性能驗證，將於2020年大規模量產。

美光曾在財報中預估2019年DRAM產業bit產出量增長20%，NAND產業bit產出量增長35%-40%。NAND Flash和DRAM供應增加是導致價格下滑的主因。花旗更是預估2019年DRAM價格至少會降價30%。

台積電大約佔據全球晶圓代工市場60%的份額。在3nm節點上，台積電曾表示將投資200億美元左右建3nm圓晶廠，預計到2022年才會量產3nm製程技術。

為了彌補存儲器降價帶來的衝擊，三星2019年將加強晶圓代工業務。三星晶圓代工曾在32nm、14nm及10nm節點率先量產，雖然目前在7nm節點上落後了台積電，但三星已投資56億美元新建晶圓廠，計劃2019下半年開始量產7nm以下製程技術，並推進3nm工藝，將在2020年大規模量產，屆時有望趕超台積電，提高市場競爭力。

另據知情人士透露，三星電子將更換其5G網路設備業務負責人，該部門目前正在快速擴大全球份額，三星的目標是兩年內贏得全球20％的5G設備市場。

目前該業務負責人由Kim Young－ky擔任。Kim Young－ky卸任後，將繼續擔任該公司顧問一職。三星將在下周公布年底人事變動時宣布該消息。

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