SK Hynix開建第七座晶元工廠：投資15萬億韓元，EUV光刻工藝

隨著NAND快閃記憶體及DRAM內存不斷降價，2019年存儲晶元市場將迎來一輪熊市。為了應對降價導致的損失，三星、SK Hynix及美光都計劃削減資本支出，不過削減並不意味著他們不再建設晶元工廠了，就在本周三SK Hynix正式開工建設第七座半導體晶元工廠M16，總投資不低於15萬億韓元（約133億美元），雖然還沒確定最終生產DRAM內存還是NAND快閃記憶體晶元，但是這座晶圓廠將會用上最先進的EUV光刻工藝。

今年10月份SK Hynix才剛剛建成最新的M15晶圓廠，這是2015年全球最大的存儲晶元工廠M14落成時SK Hynix宣布的46萬億韓元投資計劃中的一部分，M15工廠位於韓國忠清南道的清州市，投資額高達15萬億韓元，主要生產3D NAND快閃記憶體，初期將生產現在的72層堆棧3D NAND，不過明年初就會轉向96層堆棧的3D NAND快閃記憶體。

M15工廠之後就是現在的M16工廠了，本周三也就是19日正式舉行開工典禮，預計2020年正式建成，總投資額還沒確定，不過也不會低於15萬億韓元，其中基礎設施建設就要3.5萬億韓元，戰地面積30英畝。這座工廠最終會生產DRAM內存還是NAND快閃記憶體都沒確定，SK Hynix表示這要看落成時的市場需求以及工廠的技術水平來決定。

不過有一點可以肯定的，M16工廠將會用上最先進的EUV光刻工藝——存儲晶元跟邏輯晶元不同，雖然對EUV光刻工藝的需求沒那麼高，不過三星、SK Hynix依然計劃在未來使用EUV工藝生產存儲晶元，而美光對EUV的態度就比較保守，未來兩代的內存晶元依然不會用到EUV光刻工藝。

在韓國之外，SK Hynix在中國無錫也有DRAM晶元晶圓廠，目前的一期工程產能在10-12萬片晶圓/月，是全球重要的DRAM晶元基地之一。今年早些時候SK Hynix還宣布投資86億美元在無錫建設第二座內存工廠，預計完成後內存產能將達到20萬片晶圓/月。

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