又一高端光刻機進駐國內！擴產大潮迎面襲來，DRAM價格崩跌一線間

全球半導體大廠在國內投產的技術工藝越來越高端，其中，三星電子（Samsung Electronics）和英特爾（Intel）分別在西安和大連提高 3D NAND 技術水平，而台積電南京廠的 16 nm 也進入量產，SK 海力士則是將 1x nm 的 DRAM 技術落地無錫，並為國內帶來 ASML 最先進的光刻機 NXT：2000，再度打破高端光刻機不能進入國內的說法，但也為未來 DRAM 價格走勢埋下崩跌的隱憂。

ASML 是全球光刻機龍頭，但一直被高端機台不能進入國內的說法所困擾著。從 2018 年初起，ASML 陸續將一系列的高端光刻機帶到國內市場，以行動打破此說法，目前除了中芯國際已預訂一台極紫外線（EUV）光刻機將於 2019 年交貨外，長江存儲的武漢 12 寸廠、 SK 海力士的無錫 12 寸廠等，都陸續有高端光刻機進駐，協助國內半導體提升技術製造的水平。

（來源：ASML）

早在 2018 年 9 月在無錫舉行的集成電路製造年會中，ASML 中國區總裁沈波即預告，最先進的 NXT：2000 機台很快就可以在國內看到，而該說法也在日前 SK 海力士於無錫廠舉行的進機典禮中得到證實。

ASML 最先進的 NXT 2000 機台是 DUV 光刻機，用來生產邏輯工藝的 7 nm 和 5 nm 晶元，對標到 DRAM 存儲工藝技術，就是生產 1x nm 工藝，而 SK 海力士於無錫廠是一座 12 寸 DRAM 廠，即將把最高端的 1x nm 技術引入國內。

（來源：ASML）

如果將國內半導體製造的歷史分為三個階段來看，1997 ~ 2000 年是國內半導體廠快速誕生期，包括 1997 年成立的華虹 NEC，以及 2000 年成立的中芯國際，都是國內半導體製造廠的先驅。

進入 2005 年後，則是另一波外資企業進駐的高峰期，最早的一批就是海力士與意法半導體合資成立的無錫 8 寸廠，之後意法半導體退出，SK 海力士也將無錫廠改為 12 寸的 DRAM 生產線。

2007 年英特爾則是在大連成立晶元組裝廠，然該廠在近幾年也陸續改為高端的 3D NAND 生產線。美光也在 2007 年左右於西安成立晶元封裝廠，三星更於 2012 年在西安建立 NAND Flash 生產線，現在西安已經成為三星在全球最重要的 3D NAND 生產基地之一，由此可見，全球存儲大廠在國內的布局已經有初步的雛形。

SK 海力士為卡位國內龐大的 DRAM 內存市場，大力加碼無錫 12 寸生產線，或許是趁著國內兩大 DRAM 自製陣營合肥長鑫和福建晉華的技術都還未成氣候前，搶先一步擴產，事實上，福建晉華的小小火苗，已經早一步被美光「捻熄」。

SK 海力士在無錫的第二期擴產總投資高達 86 億美元，興建完成後，估計月產能將達 20 萬片 10 nm 產能，預計年銷售額由目前 19 億美元，增加至 33 億美元。

SK 海力士在國內的布局還不僅如此，更計劃把邏輯工藝的 8 寸生產線移到無錫，主要是看好國內人工智慧、物聯網、車用電子等相關晶元的熱絡需求，該廠計劃在 2019 年下半年正式完工。

（來源：SK 海力士）

不過，SK 海力士在晶圓代工領域的勢力一項偏弱，想藉由國內的晶元設計業者之力來突圍，實際效應待觀察。

在大廠帶頭擴產下，未來的 DRAM 價格恐有近一步血流成河的徵兆，事實上，該市場已經瀕臨寒冬。

根據市調機構 TrendForce 統計，DRAM 價格包括 PC 用的標準型、伺服器、利基型、手機用的各類內存晶元不但都轉跌，2018 年 11 月合約價意外出現二次下修，預計 2019 年第一季的合約價格跌幅將繼續擴大。

其中，手機用的移動存儲晶元受到新一代 iPhone 的出貨高峰已過，Android 手機在通路端的整機庫存偏高，目前都處於庫存去化階段，而 2019 年智能手機的需求量將較 2018 年衰退，因此，手機存儲晶元後市需求持續看弱。

伺服器市場遇到的狀況也類似，相關存儲晶元在市場上的庫存水位偏高，加上進入淡季，可以看到在 32 GB 的主流模組上，供應商明顯地積極砍價求售。

日前美光股價大跌，反映存儲晶元價格未來有隱憂。美光首席執行官 Sanjay Mehrotra 也表示，經歷過去兩年的強勁成長後，現在數據中心的客戶已經進入庫存調整期，預期這樣困境會持續好幾季。

根據世界半導體貿易組織（WSTS）的統計，原本預期 2019 年市場產值可以達 5,020 億美元，較 2018 年成長 5.2%，現在下調到至 4,901 億美元，較 2018 年僅成長 2.6% 左右，當中，存儲晶元的跌價就是導致全球半導體產值增幅縮水的主因。

事實上，存儲價格已經維持兩年的旋風漲勢，2017 年較 2016 年大漲 61.5%，2018 年則是較 2017 年上漲 33.2%，然進入 2019 年，預計存儲價格恐再度回到許久未見的負增長走勢。

行業人士都心知肚明，美光、三星、SK 海力士這些存儲大廠都非常害怕國內業者自己掌握技術和生產製造，因為所有的進口晶元中，存儲晶元佔據最大量，因此，美光狙擊福建晉華、緊盯合肥長鑫，而三星是用 3D NAND 卡位國內市場，SK 海力士則是擴大無錫廠的高端 1x nm 晶元產能，國內市場已然成了國際存儲大廠既愛又怕的軟肋所在。

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