三星計劃將2019年NAND bit成長率由40％下調至30％

全球智能型手機需求下滑，PC市場需求也受到了處理器缺貨的影響，導致傳統Q4淡季更加明顯。在需求低迷的大環境下，據The Korea Herald報導，三星計劃在2019年減少存儲器產量，DRAM bit成長率由之前預估的20%降至低於20%，NAND Flash bit成長率由40%下調至30%。

2018年NAND Flash價格大跌，DRAM價格也在下滑，且已影響到存儲廠商獲利。日前，美光發布的2019財年Q1凈利潤32.93億美元，雖然同比增長23%，但與上個季度相比，營收環比衰退6%，凈利潤環比下滑24%。同時，市場業內人士預估，三星Q4營業利益將從上季創紀錄的17.57兆韓元降至約13兆韓元，也反映出存儲器市場的低迷。

為了緩解需求疲軟和跌價帶來的運營壓力，西部數據率先表示要減少Fab的產出，以及減緩下一步的擴產計劃，三星也將保守執行其存儲器擴產和投資計劃。三星曾計劃的平澤2廠將於2019年上半完工，但由於市場供應過剩，平澤工廠增產和擴產計劃恐延緩，以限制產能成長，防止DRAM價格下跌。據悉，三星原先將在平澤DRAM產線增加4萬片晶圓產能，但目前考慮在2019年上半僅增加2~3萬片晶圓。

市場業內人士預計，2019上半存儲器市場依然會處於需求淡季，但預計下半年將出現反彈。如今各家原廠紛紛減緩投資，控制產出量，將有助於平衡2019上半年市場供需，預計下半年供過於求的局面將有所改善。

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