國產氮化鎵商業化 內置氮化鎵充電器比傳統充電器小40%

氮化鎵是高端大氣上檔次的半導體材料，被譽為第三代半導體材料。

半導體材料發展至今已歷三代：第一代半導體材料以鍺和硅為代表，被廣泛運用於集成電路製造領域，比如現在大家電腦和手機中的CPU和GPU就是採用硅材料製造的，美國矽谷也因「硅」而得名。

第二代半導體材料以砷化鎵、磷化銦為代表，主要應用於以光發射器件為基礎的光顯示、光通信和光存儲等光電子系統，比如一些射頻晶元就採用砷化鎵材料。不過，隨著SOI工藝的發展，一些廠商在射頻晶元材料選擇上放棄了砷化鎵材料，選擇了SOI工藝。

第三代半導體材料則以氮化鎵、金剛石、碳化硅等為代表，氮化鎵化學性質非常穩定，具有有寬的帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、耐腐蝕等優點，熔點高達1700攝氏度，擊穿電壓高，抗輻射能力強。

過去，中國也能製造氮化鎵材料的電子器件，但大多數用於特殊領域，比如某新銳戰機的有源相控陣雷達的微博晶體管就採用了氮化鎵材料，使其具備很強的性能的同時，還具備較小的體積。

此外，很多國防軍工和大型基礎設施工程中，氮化鎵都有用武之地。

想必正是因此，美國對於氮化鎵高度重視，美國空軍研究實驗室和國防部長辦公室授予美國某公司1490萬美元的合同，以進一步加強其生產基於氮化鎵（GaN）半導體的工藝，將氮化鎵嵌入國防系統中，為士兵提供更強的感測、通信和電子戰能力。歐盟、日、韓等諸多科技公司紛紛致力於氮化鎵功率器件和LED燈泡的研發和生產。

此前，中資收購飛利浦麾下的燈泡業務和收購德國愛思強公司都被奧巴馬動用總統特權否決，原因之一就是中資收購的這兩項業務都與氮化鎵有關。特別是愛思強的MOCVD設備，是可以用於氮化鎵製造的一項設備。

日前，國內某公司開始嘗試氮化鎵技術的民用化，主攻方向是快速充電。該公司才有IDM模式，也就是自己完成設計、製造和銷售全過程。在採用了氮化鎵材料之後，可以使手機充電器的體積更小，充電效率更高。

根據公開的對比，功率達到27W內置氮化鎵充電器與功率為30W的傳統充電器相比，體積可以縮小40%。

不過，唯一的問題就是價格了，根據過去的經驗，採用氮化鎵器件的產品價格會很高，某公司做過一款採用氮化鎵器件的電源，雖然性能不錯，但價格是傳統電影的5—6倍。高昂的價格有可能成為氮化鎵商業化的最大阻礙。

萬是開頭難，期待氮化鎵這項高端大氣上檔次的材料，能夠被白菜化。

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