紫光與群聯戰略合作；三星、美光將減少存儲器產量；IBM與三星簽署合作協議

1、紫光存儲與群聯電子簽署戰略合作協議

12月24日，紫光存儲科技有限公司與群聯電子股份有限公司在北京簽署戰略合作協議，宣布在存儲產品供應鏈、產品設計、代工生產等領域全面深化合作，建立密切的合作夥伴關係，充分發揮各自行業優勢，共同促進雙方的業務發展和產品延伸，實現生態共贏。

2、存儲器業務增長減緩，三星電子Q4營收預期將同比下滑3.2%

12月24日，因存儲器業務增長減緩，韓國分析師預計三星電子Q4營收約為63.8 兆韓元，同比年減3.2%，2018年Q3營收為65.46 兆韓元；預計營業利潤13.9 兆韓元 (約合123 億美元)，去年同期為 15.1 兆韓元，同比下滑7.6%，三星電子2018年Q3營業利潤為 17.57 兆韓元。

12月25日，為了改善存儲器供應過剩的局面，三星、西部數據、美光、SK海力士等紛紛調整產出量，減緩投資計劃，下調資本支出等，同時，美光也下修2019年DRAM產業bit出貨增長率，從先前預估的超過20%下修至16%，NAND Flash產業bit出貨增長率，從先前預估的35%-40%下修至35%。

因處理器(CPU)供貨緊缺，英特爾(Intel)宣布從2019年起將擴大位於美國俄勒岡州、歐洲愛爾蘭和以色列的生產基地的產能。此外，英特爾也要重組渠道部門，提高與合作夥伴在CPU供貨緊缺這類問題上的溝通及透明度，避免因此導致如2018年交貨延遲、價格上漲及遇上其它挑戰的供應鏈問題。

12月26日，英特爾計劃在2018年至2020年期間在以色列投資50億美元，擴大生產業務。以色列目前已批准向英特爾公司提供7億謝克爾（1.85億美元）的資金補貼。

英特爾曾表示計劃投資50億美元擴大以色列南部水牛城(Kiryat Gat)晶元工廠的產能，擴建工程將在2020年完工，規劃將製造工藝從22納米升級到10納米，生產更小、速度更快的晶元。

12月27日，三星計劃在2019年減少存儲器產量，DRAM bit成長率由之前預估的20%降至低於20%，NAND Flash bit成長率由40%下調至30%。

業內人士預計，2019上半存儲器市場依然會處於需求淡季，但預計下半年將出現反彈。如今各家原廠紛紛減緩投資，控制產出量，將有助於平衡2019上半年市場供需，預計下半年供過於求的局面將有所改善。

12月28日，據IDC最新數據顯示，2018年第3季全球企業存儲市場規模年增19.4%，達140.47億美元；就存儲容量而言，大幅成長57.3%，達113.9EB(exabytes)。

據中國快閃記憶體市場ChinaFlashMarket統計，預計2018年全球企業SSD市場出貨超過2800萬台，較2017年增幅超過25%，平均容量需求超過2TB，正在快速滲透到企業級市場應用。預計2019年TB級SSD將越來越多，滿足電商促銷、大數據分析、雲計算等大數據存儲應用。

12月29日，隨著DRAM和NAND Flash技術競爭加劇，市場跌價對後續營運帶來的壓力，以及來自中國企業的威脅。SK海力士提出一個新的制度，讓優秀的工程師即使在法定退休年齡60歲之後仍能繼續工作。

9、IBM與三星簽署協議，共同生產下一代處理器

12月29日，IBM宣布已與三星晶圓簽署協議，共同生產下一代處理器，包括IBM POWER處理器和LinuxONE系統處理器等，未來都將採用三星的7nm製程技術，而該製程將採用最為先進的極紫外光刻（EUVL）。

同時，IBM亦結束了與過去CPU製造合作夥伴格羅方德（GlobalFoundries）共同開發7nm製程的技術，IBM所授予Globalfroundies製造協議，包括晶圓廠等，都將於本月划上句點。

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