三星S10＋陶瓷機身版配置曝光 12GB內存＋1TB存儲

根據多家媒體曝光，三星Galaxy S10 將提供陶瓷版本，該版本配備12GB 1TB存儲。三星S10 陶瓷材質是由三星採用特殊工藝製造的，這種工藝使其更具防刮性和防摔性，並且具有「金屬光澤」。陶瓷的硬度很高，只略低於鑽石和藍寶石。

根據國外爆料人Max Weinbach分享了一批有關S10系列詳細配置的消息，供參考：

5.8寸三星Galaxy S10 E/Lite：搭載側面指紋，4 128GB，1200萬像素F1.5/2.4可變光圈主攝 1600萬像素178度超廣角光學防抖鏡頭；

6.1寸的三星Galaxy S10：搭載屏內超聲波指紋、6 128GB/6 256GB，1200萬像素F1.5/2.4可變光圈主攝 1600萬像素178度超廣角光學防抖鏡頭；

6.4寸三星Galaxy S10 ：搭載屏內超聲波指紋，6 128GB/6 256GB/8 512GB，1200萬像素F1.5/2.4可變光圈主攝 1600萬像素178度超廣角光學防抖鏡頭 1300萬像素長焦鏡頭；

更為重要的是，來自國外爆料人Samsung_News_的消息，他聽聞三星Galaxy S10將搭載LPDDR5 RAM。值得一提是，去年夏天，三星宣布開發出首款LPDDR5-6400內存晶元，基於10nm級（10nm~20nm）工藝，單晶片容量8Gb。除了速度的提升，LPDDR5內存晶元相較LPDDR4X，功耗還減少了30%，可以說十分優秀。

根據數碼博主i冰宇宙的爆料，UFS 3.0快閃記憶體的AndroBench跑分現已曝光，順序讀取速度達到了2279.9MB/s，順序寫入速度達到了1801.1MB/s，達到了目前優質NVMe固態的速度。

具體如下圖：

據i冰宇宙微博面熟，這是一塊1TB版本的UFS 3.0快閃記憶體，讀取速度達到了2279.9MB/s，順序寫入速度達到了1801.1MB/s，隨機讀取146.4MB/s，隨機寫入137.5MB/s。

UFS3.0對比上一代的UFS2.1不僅帶寬更高，電壓也相較UFS 2.1更低，最大限度降低設備功耗與發熱。UFS 3.0標準單通道上可達到11.6 Gbps，是UFS 2.1標準的兩倍，而雙通道設計可以最高達到23.2 Gbps的傳輸帶寬，UFS 3.0的工作電壓為2.5V，相較上一代2.7V到3.6V更低。

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