英特爾MRAM量產在即：DRAM和NAND再遇強敵

在經歷2016年中到2018年底的瘋狂之後，DRAM內存和NAND快閃記憶體的都在2018年出現下跌。在DRAM內存在2019年第一季度將下跌20%，集邦存儲預計DRAM內存在第二季度還有15%的跌幅;NAND快閃記憶體在2018年的跌幅更是高達50%，在沒有足夠支撐的情況下，NAND快閃記憶體在2019年還有50%的下跌。

但價格下跌還不是DRAM內存和NAND快閃記憶體最壞的消息。行業資訊網站EETimes不久前發布一份報告顯示，英特爾自主研發的商用MRAM(磁阻隨機存取存儲器)已經做好大批量生產的準備。提交這篇論文的英特爾工程師Ligiong Wei表示：「英特爾嵌入式MRAM技術可在200攝氏度下實現長達10年的記憶期，並可在超過100萬個開關周期內實現持久性。由於具有省電的特性，英特爾的嵌入式MRAM很有可能率先用在移動設備上，例如物聯網 (IoT) 之類的設備商應用，通海還能搭上5G世代的列車。」

MRAM是一種非易失性存儲技術，通過磁致電阻的變化來表示二進位中的0和1，從而實現數據的存儲。由於產品本身具備非易失性，讓其在斷電情況下依然可以保留數據信息，並擁有不遜色於DRAM內存的容量密度和使用壽命，平均能耗也遠低於DRAM。

由於物理極限，半導體的製程微縮已經漸至瓶頸，經過多年發展的DRAM內存和NAND快閃記憶體已經難有潛力再挖。作為新興技術的MRAM則擁有很多發展空間。除了英特爾，台積電在去年也傳出有一重啟MRAM產品的研發計劃。

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