硬體資訊：這次和KFC沒關係。英特爾9代桌面CPU全面更新

科技 02-23

新聞1：英特爾9代桌面CPU全面更新，大多數提升 100 MHz，沒有KFC版本

根據外媒的消息，英特爾9代桌面CPU春季新品全面曝光，將會在接下來的幾周內陸續上架，但是沒有傳聞中Core i9-9900KFC。

據報道，在Coffee Lake Refresh系列的Core i-9000處理器現已在零售系統中出現。與Core i5-9400類似，大多數型號都會提高上一代Coffee Lake的主頻100 MHz。

賽揚系列依舊兩個核心和兩個線程，奔騰雙核四線程，主頻達到4 GHz（奔騰金牌G5620）。這款 G5620型號已經在一些歐洲商店出售。目前尚不清楚 G5260所基於的架構，但根據目前的英特爾路線圖，應該是Coffee Lake-R。

預計英特爾將在4月推出全系列新型號。

很有趣，9400F居然被劃分到了八代里，而唯一的一個9400，卻劃分到了九代，然後剩下的全是帶K的處理器。我不知道9600K是不是釺焊的，反正除了9600K和9400以外，全部都是釺焊的。而9400F還曝光過從釺焊變成硅脂的消息。所以我有點懷疑，所謂的釺焊其實全部都是八核屏蔽來的吧？什麼九代全釺焊，不過是一個劃分線的問題。

新聞2：國際固態電路會議，SK Hynix介紹自家首款DDR5晶元

儘管 JEDEC 尚未完成 DDR5 最終標準的開發，但晶元大廠之間早就開始了暗自較勁。在舊金山舉辦的國際固態電路會議（ISSCC）上，SK Hynix 首次詳細介紹了自家基於 DDR5 規範的同步 DRAM 晶元。作為同樣來自韓國的競爭對手，三星在同一會議上描述了基於低功耗 LPDDR5 規範的 DSRAM 作為反擊。

與當前已面世的 DDR4 標準對比，DDR5 能夠提供雙倍的帶寬密度，以及更高的通道效率。原定於去年完成的 DDR5 標準，現仍在持續中，預計相關產品會在今年年底開始出現。

在周三的國際固態電路會議上，海力士晶元設計師 Dongkyun Kim 發表了自家首款 DDR5 晶元的報告。

這是一款 16Gb @ 每引腳 6.4Gbps 的 SDRAM，工作電壓 1.1V 。製造節點為 1y 納米，基於四金屬 DRAM 工藝，封裝面積 76.22 平方毫米。

Kim 對延遲鎖定迴路的部分改動進行了深入講解，表示 Hynix 藉助了相位旋轉器和注入鎖定振蕩器，實現了對延遲鎖定環（DLL）的修改。以減少在較高時鐘速度下，操作相關的時鐘抖動和占空比失真。

他還描述了海力士設計團隊使用的其它技術，包括用於抵消與更高速度相關的時鐘域問題的寫入等級訓練方法，以及改進的前向反饋均衡（FFE）電路。

與此同時，三星公司描述了一款 10nm 級別的 LPDDR5 SDRAM 。在低至 1.05V 的電壓下，它可以達到 7.5 Gb/s 的速率。

JEDEC 在本周早些時候發布了 LPDDR5 標準，最終定下的標準 I/O 運行速率為 6400 MT/s，較 LPDDR4時代提升了 50% 。

如此一來，業界有望大幅提升智能手機、平板電腦、以及超極本等應用場景下的內存速度和效率。此外，Objective Analysis 首席分析師 Jim Handy 披露了三星 LPDDR5 新品的更多技術細節。

神仙大亂斗，不如花點心思搞搞DDR4，不過這不可能的，如果他們真的願意搞，應該是D4，D5齊頭並進了。倒不如說是家裡人互相逗著樂吧

新聞3：西數發布UFS 3.0快閃記憶體EU511，96層3D快閃記憶體 750MB/s速度

今年的智能手機除了會升級處理器之外，存儲晶元也會升級到最新標準，移動內存LPDDR5標準才被JEDEC組織正式公布，快閃記憶體也會從UFS 2.0/2.1提升到UFS 3.0，讀寫速度堪比SSD硬碟（隨機還不行）。西數公司日前宣布推出新一代iNAND嵌入式快閃記憶體EU511，支持UFS 3.0，最大容量512GB，使用了96層堆棧3D NAND快閃記憶體，讀取速度可達750MB/s，是前代的兩倍，如此高速的性能將為未來的5G設備提供更好的體驗。

西數去年底就宣布量產96層堆棧的3D NAND快閃記憶體了，這次推出的iNAND EU511嵌入式快閃記憶體也是96層堆棧的，雖然西數官方沒有公布具體類型，但不太可能是QLC快閃記憶體，應該還是3D TLC，因為今年1月底東芝也發布了UFS 3.0快閃記憶體，就是96層堆棧3D TLC快閃記憶體，兩家公司推新一代產品的步驟是差不多的。

西數的EU511快閃記憶體支持UFS 3.0 Gear 4/2 Lane規範，而UFS 3.0單通道雙向11.6Gpps，因此雙通道雙向帶寬的理論最高值就是23.2Gbps，大約是2.9GB/s。

容量方面，iNAND EU511快閃記憶體最低64GB，最高512GB，而且憑藉西數的SmartSLC Generation 6技術使得讀取速度達到了750MB/s，官方表示連續讀取性能是前代的兩倍。

這樣的性能也讓新一代UFS 3.0快閃記憶體為即將到來的5G時代做好準備，西部數據公司Devices事業部高級總監Oded Sagee表示：「智能手機正在日益成為萬物互聯的中心。高速5G網路旨在實現比之前快100倍的數據傳輸速度，並在更多的設備上部署人工智慧(AI)。人工智慧（AI）由集成式神經處理單元(NPU)所驅動，允許我們訪問大數據和快速數據，這將改變我們使用智能手機的方式。面對實時邊緣計算的高需求，嚴格的數據捕獲標準和訪問模式將成為5G設備必須滿足的基本條件。有了UFS 3.0嵌入式快閃記憶體盤，西部數據可以讓用戶按需、無縫、即時地體驗5G應用的新威力。」

西數iNAND EU511快閃記憶體目前已經開始給OEM客戶出樣。

手機這種東西沒什麼好說的，效能比什麼都重要。不過手機終究是手機，86也終究是86，一個750MB/s看起來吊打了SATA，但是一旦干點其他事情，UFS本身性能上限的問題就表現出來了。要想真正的性能……所以什麼時候會有人把SSD集成到手機里呢？（無端妄想）

新聞4：很多8400的鏈接已經失效了，看來9400F取代不可避免