西數發布iNAND EU511快閃記憶體晶元：UFS 3.0、寫入達750MB/s

三星S10似乎並未配備LPDDR5內存和UFS 3.0快閃記憶體，不過摺疊屏Galaxy Fold則內建了512GB UFS 3.0快閃記憶體。

事實上，LPDDR5由於剛剛公布正式規範，按計劃2020年才會登陸消費級產品。而UFS 3.0快閃記憶體則提前不少，但可能因為成本和支持的SoC（僅驍龍855、三星Exynos 9820等）較少的緣故，大規模的普及還需要醞釀。

MWC 2019期間，Western Digital（西部數據）發布了iNAND MC EU511快閃記憶體晶元，採用96層3D NAND，符合UFS 3.0規範。

性能方面，基於SmartSLC Generation 6，順序寫入速度高達750MB/s。

容量方面，單晶元64GB起步，最大512GB。

此前，iNAND產品歸屬與SanDisk（閃迪），可以看出被西數收購後，後者要進一步強化統一化的品牌管理，機械硬碟領域的HGST（昱科）也是一樣道理。

當然，UFS 3.0設計的最高數據傳輸速率可達2.9GB/s。

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