三星宣布量產 UFS 3.0 快閃記憶體：讀取速度 2100MB/s

隨著智能手機的不斷迭代更新，出於對響應速度、文件傳輸速度的要求，其所搭載的快閃記憶體晶元也從 emmc 4.3 標準一路發展到 emmc 5.1 再到採用高速串列介面、讀寫速度翻倍的 UFS 2.0、2.1，到了今年，UFS 3.0 標準的快閃記憶體晶元也將投入量產了，三星官方今天（2 月 27 日）便宣布已開始量產 128GB 及 512GB 的 eUFS 3.0 快閃記憶體晶元。

據悉，三星的 512GB eUFS 3.0 快閃記憶體採用了第 5 代 V-NAND 技術，順序讀取速度可達 2100MB/s，官方稱是 SATA SSD 的 4 倍、較普通 micro SD 卡則有 20 倍的優勢，順序寫入速度則為 410MB/s，相比上一代提升約 50%。

目前各家廠商所宣布量產的 UFS 3.0 快閃記憶體性能參差不齊，此前東芝宣布量產的晶元宣傳能達到 2900MB/s 的讀取速度，西數的產品則只能到 750MB/s。

三星本月便開始量產 128GB 及 512GB 的 eUFS 3.0 快閃記憶體晶元，並計劃將於下半年量產 256GB 及 1TB 版本，已經發布的摺疊屏產品 Galaxy Fold 將會是首批搭載 UFS 3.0 快閃記憶體的設備。

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