NVMe旭日初上，西部數據逐步推動SATA與SAS SSD升級

西部數據公司已經開始利用速度更快的NVMe驅動器逐步替代其SATA與SAS SSD產品。

2.5英寸Ultrastar DC SN630與M.2 2280（單面）格式CL SN720驅動器開始採用西部數據與東芝的64層3D TLC NAND （三級單元）配置，同時配合PCIe v3四通道與NVMe v1.3介面。

西數方面表示，全部驅動器組件皆已生產到位，具體包括介質、控制器及其軟體。

DC SN630

這款DC SN630是一款數據中心級SSD，其960 GB、1.92 TB、3.84 TB以及7.68 TB幾種容量版本針對讀取密集型任務進行了優化。而出於預留空間的考慮，其混合使用版本的容量水平較低，分別為800 GB、1.6 TB、3.2 TB以及6.4 TB。

西數公司的Ultrastar DC SN630

西數方面並沒有公布混合版本產品的隨機讀取/寫入IOPS，但向我們確認其使用壽命為每天兩次全盤寫入，壽命周期大約為五年。另外，其提供五年質保服務，以及最高200萬小時故障間隔時間（簡稱MTBF）。

讀取密集型版本則可帶來高達36萬3700/5萬5820的隨機讀取/寫入IOPS，且具有2.7/1.29 GB每秒的連續讀取/寫入帶寬。

奇怪的是，從960 GB到7.68 TB，西部公司甚至為不同容量型號列出了非常詳盡的延遲水平——130微秒、180微秒、230微秒以及230微秒。另外，讀取密集型產品的使用壽命略低，為每天0.8次全盤寫入，同時提供為期五年的質保以及高達200萬小時的故障間隔時間。

其常規功耗為10.75瓦，且具備即時安全擦除功能。

相比之下，西數的HGST品牌同樣包含一款DC SS530雙埠SAS驅動器，其同樣採用64層TLC 3D NAND並具備每秒12 Gbit帶寬。其隨機讀取/寫入IOPS最高可達44萬/32萬，這樣的表現在寫入操作方面可謂碾壓DC SN630。

另外，DC SS530的連續讀取/寫入帶寬分別為2.31/2.28 GB每秒，同樣優於SN630。在這種情況下，可以看出NVMe本身並沒有表現出超越每秒12 Gbit雙埠SAS的性能水平。

CL SN720

我們於去年三月首次見證西數公司推出的SN720 M.2 NVMe驅動器，但當時其還沒有發布關於CL SN720的公告。

CL SN720驅動器主要作為啟動引導或者物聯網邊緣驅動器使用。其提供256 GB、512 GB、1 TB以及2 TB容量選項。這款產品的隨機讀取/寫入IOPS呈現出兩極分化，讀取為3萬3000，而後者僅為可憐的2700——是的，我們檢查了多次數據表，確認結果無誤。很明顯，其專為大規模讀取密集型任務而生。

西部數據公司的Ultrastar CL SN720

其連續讀取/寫入帶寬仍然傾向於讀取，但差異有所縮小，分別為3.25/1.4 GB每秒。

讀取延遲為128微秒，西數方面表示這款驅動器的讀取速度與寫入性能分別可達1 TB Ulstrastar SA210 SATA SSD的6倍與2.5倍。

其同樣基於64層TLC 3D NAND，採用6 Gbit每秒SATA介面，並提供2.5英寸與M.2 2280兩種格式。其隨機讀取/寫入IOPS為6萬4000/5000，連續讀取/寫入帶寬為510/475 MB每秒；可以看到，性能指標明顯低於使用NVMe的CL SN720版本。

我們也可以將CL SN720與西部剛剛面向遊戲玩家發售的快閃記憶體驅動器進行比較，即Black SN750。後者擁有一套覆蓋64層TLC 3D NAND介質的散熱器，可提供51萬5000/48萬隨機讀取/寫入IOPS以及3.47/3.9 GB每秒連續讀取/寫入帶寬；很明顯，不僅速度更快而且讀寫更加均衡。

西數方面也在著手構建並配置各驅動器產品，從而在性能、成本、功耗以及使用壽命等層面達到與市場需求的高度契合。

SN720提供自加密支持——即TCG OPAL 2.01——以及即時安全擦除。另外，這兩款新驅動器都可使用密度更高的96層3D NAND。

SN630計劃於今年三月上市，而SN720目前已經開始供貨。

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