存儲市場疲軟，未來的路在哪裡，如何走？

2018全球半導體前四沒有一家不涉足存儲器，但是，存儲器市場是個具有周期性變化的市場。2017年，存儲價格在經歷大幅增長後，將受到市場周期變化的影響，導致價格下滑。在這種情況下，存儲市場應該如何發展？

3月20日，在SEMICON CHINA 2019存儲器發展論壇中，業內眾多專家與參會者分享了存儲技術路線圖和全球市場現狀。

SPIN MEMORY業務發展副總裁、JEDEC副主席彭安主持了本次論壇。他介紹了2019年存儲市場的整體趨勢，「DRAM 和NAND是目前存儲市場最大的兩塊產品，分別擁有1000億美元和600億美元的市場規模」他表示：「三大DRAM公司如果能夠不盲目地擴大產能，那麼DRAM的價格下滑會受到控制。」

長江存儲，副總裁/聯席首席技術官程衛華進行了以「走向3D NAND快閃記憶體未來：創新技術和智能製造」為主題的演講，重點介紹了長江存儲三種技術，發布了創新的Xtacking架構，並介紹了公司在智能製造方面的布局。他介紹：「長江存儲在實現智能製造的過程中，針對不同時間節點部署了三個階段：數據化階段、系統自動化階段以及人工智慧階段。目前，智能製造正處於第二階段，在此階段的目標是實現短研發周期和快速生產能力，提高生產成本，實現資本利用率和最低成本質量保證。」

東芝，執行技術總裁大島成夫進行了以「scaling flash technology to satisfy meet application demands」為主題的演講。首先他介紹了東芝快閃記憶體產品發展的歷史，快閃記憶體應用爆發關鍵點以及該技術未來的市場趨勢。他認為：「對SSD的需求占快閃記憶體市場的一半，這種趨勢與引領市場的大數據、AI、物聯網、自動駕駛等技術保持一致。5G技術將再次刺激手機需求的增長。」

北方華創總裁丁培軍博士進行了以「北方華創助力存儲產業發展」的主題演講，他介紹道，北方華創是一家為存儲產品提供生產設備的企業，重點介紹了公司可用於DRAM 和3D NAND的薄膜設備。

英特爾存儲製程研發中心資深總監、技術與戰略部資深總監盧東暉博士以「新數據中心時代存儲架構的擴展」為主題進行了演講，「大數據使得數據傳輸更大、更快，這將為存儲市場帶來新的發展機遇」，他表示：「對此，Intel推出了Optane 和QLC技術。」Optane 是一種超高速內存新技術，兼容NVMe存儲協議。

Lam Research先進技術開發公司副總裁潘揚博士進行了行了以圖案化和高縱橫比結構解決方案實現內存技術路線圖的主題演講，他認為：「在半導體實現規模化的過程中，設備供應商正在發揮關鍵作用。LAM可為HAR結構提供模塊級解決方案，幫助客戶縮短開發周期。」

兆易戰略市場副總裁王成淵博士進行了以「NOR from great china:from follower to leader」為主題的演講，重點介紹了NOR技術在中國市場的發展。他表示：「NOR flash市場已成為一個長尾市場，2018年穩定在25億美元。而領先的大型晶圓廠供應商則更專註於更大的市場，如DRAM和NAND。這將為中國提供了發展NOR的空間。同時，NOR flash已經達到55nm/45nm。未來，NOR進一步提高密度和降低成本也並不困難。」

最後，Yole技術分析師Simone Bertolazzi用「半導體存儲技術：創新和競爭格局」的主題演講結束了本次論壇。在他的演講中，Simone Bertolazzi為我們分析了目前半導體存儲技術的現狀，他說：「 由於英特爾和美光等大公司的大力參與，PCM將保持其領導地位，直至2023年。STT-MRAM是挑戰者，主要由MCU/ASSP市場驅動（由鑄造廠解決）。同時，在此階段中，在嵌入式和獨立市場中，市場採用RRAM的方案會延遲兩年。儘管如此，RRAM一旦被採用將對所有的應用程序都有幫助。另外，新興的NVM也將在混合內存解決方案中為NAND和DRAM做補充，但在2023年前，NVM仍低於整體獨立內存市場的3%。」

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