快閃記憶體製造哪家強？三星V-NAND V6對比東芝BiCS5

東芝在1987年發明了NAND快閃記憶體，時至今日我們已經用上了64層3D堆疊快閃記憶體製成的手機和電腦硬碟，96層堆疊的產品也已經開始逐步面世。不過我們今天要討論的是下下代128層堆疊3D快閃記憶體產品。

儘管128層堆疊目前還停留在技術層面上，通過前不久的ISSCC（IEEE國際固態電路峰會）我們能夠找到一些有關未來快閃記憶體技術的發展方向。

在3D快閃記憶體的發展歷史上，東芝宣稱自己是最早提出3D堆疊快閃記憶體技術的公司（2007年），不過最早將3D快閃記憶體帶入大規模應用的則是三星（2013年，24層堆疊）。目前三星已經披露了第六代V-NAND的計劃，預計採用11X層（110~120）堆疊。

與之對應的是東芝BiCS5，預計採用128層堆疊，二者都有TLC和QLC兩種類型。下圖是東芝在ISSCC上公開的BiCS5 3D TLC快閃記憶體關鍵參數，值得注意的是它同樣採用4平面設計，寫入速度較三星更高。

對比雙方公開的參數信息可以發現，東芝BiCS5在存儲密度和寫入速度上擁有顯著優勢，而三星V-NAND V6則憑藉更新的Toggle 4.0快閃記憶體介面取得了讀取延遲方面的領先。（PCEVA小編註：Toggle是由東芝和三星在2010年共同提出的快閃記憶體介面規範，影響快閃記憶體晶元與固態硬碟主控之間的通信速度）

除了性能之外，成本控制同樣是3D快閃記憶體技術優越性的一個體現。畢竟3D快閃記憶體的問世主要就是為了解決半導體製程微縮瓶頸，助力快閃記憶體存儲密度不斷上升、每GB價格不斷下降。

通過單Die容量與面積計算的結果來看，東芝BiCS快閃記憶體在存儲密度上的優勢明顯。不過這能否能最終轉化為製造成本上的領先，還要受到其他諸多因素的共同影響。

以下是通過公開渠道收集到的各快閃記憶體原廠最新3D快閃記憶體技術規格，國產還需繼續努力提升自身競爭力，發展技術創造成本優勢，先渡過眼前快閃記憶體價格不斷下降的寒冬。

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