三星宣布推出1Z納米製程DRAM，2019 年下半年開始大量生產

在動態隨機存取存儲器（DRAM）製程陸續進入 1X 及 1Y 製程領域之後，全球 DRAM 龍頭三星 21 日宣布，首次業界開發第 3 代 10 納米等級（1Z 納米製程）8GB 高性能 DRAM。這也是三星發展 1Y 納米製程 DRAM 之後，經歷 16 個月，再開發出更先進位程的 DRAM 產品。

據了解，新一代 1Z 納米製程 DRAM，三星在不使用極紫外線光刻機（EUV）的情況下打造，這顯示三星進一步提高了 DRAM 的生產極限，並拉高競爭對手的生產門檻。

隨著 1Z 納米製程產品問世，並成為業界最小的存儲器生產節點，目前三星已準備好用新的 1Z 納米製程 DDR4 DRAM 滿足日益成長的市場需求，生產效率比以前 1Y 納米等版 DDR4 DRAMUL4 高 20% 以上。

三星表示，1Z 納米製程 8GB DDR4 DRAM 的正式大量生產時間將落在 2019 下半年，以應對下一代企業伺服器需求，並有望能在 2020 年支援新高階個人計算機。

除了提供市場需求，三星還指出，跨入 1Z 納米製程的 DRAM 生產，將為全球 IT 加快朝向下一代 DRAM 界面，包括 DDR5、LPDDR5 和 GDDR6 等預做準備。

這些具更高容量和性能的 1Z 納米製程產品將增強三星在市場的業務競爭力，鞏固其高階 DRAM 市場應用的領導地位，包括伺服器、圖形和行動裝置等領域。

另市場消息指出，與一家 CPU 製造商就 8GB DDR4 模塊全面驗證後，三星將積極與全球客戶合作，提供一系列即將面世的存儲器解決方案。為了滿足目前的行業需求，三星計劃增加主要存儲器生產比重。

來源：科技新報

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