三星第三代10納米級DRAM問世，下半年將量產

3月21日，三星電子宣布開發出業內首款基於第3代10納米工藝的8Gb DDR4 DRAM，用於高端應用場景。

第三代10nm級工藝即1Z納米（在內存製造中，X/Y/Z指代際，工藝區間是10~20nm），整合了EUV極紫外光刻技術，單晶元容量8Gb。

據了解，新的10納米 DDR4與之前的1y-nm版本相比，它的製造效率提高了20%以上，並將以超高的性能和功率效率推動DRAM解決方案的極限。此外，第3代DDR4產品沒有使用極端紫外線(EUV)處理，也拉高三星和競爭對手的生產門坎。

隨著 1Z 納米工藝產品問世，並成為業界最小的內存生產節點，目前三星已準備好用新的 1Z 納米工藝 DDR4 DRAM 滿足日益成長的市場需求，生產效率比以前 1Y 納米等版 DDR4 DRAMUL4 高 20% 以上。

三星表示，1Z 納米工藝 8GB DDR4 DRAM 的正是大量生產時間將落在 2019 下半年，以因應下一代企業伺服器需求，並有望能在 2020 年支持新高階個人計算機。此外，三星還表示，上述先進技術還將應用於未來的DDR5、LPDDR5、GDDR6產品上。這些具更高容量和性能的 1Z 納米工藝產品將增強三星在市場的業務競爭力，鞏固其在DRAM市場高端應用的領導地位，包括伺服器、圖形和行動裝置等領域。

據悉，三星這款第3代10納米工藝的8Gb DDR4 DRAM已經獲得獲得全球PC廠商的評估認證，量產後或將擴大全球客戶需求。

不過，就在3月20日，三星電子聯席CEO金基南也指出，由於智能機市場增長乏力，數據中心公司削減投資，公司的存儲晶元等零部件業務預計將面臨艱難一年。

文章綜合自ZDNet Korea、Technews報道

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