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中芯國際出售LFoundry,輕裝上陣征戰先進位程及特色工藝

3月31日,國內晶圓代工大廠中芯國際宣布出售其義大利8英寸晶圓廠LFoundry。

公告顯示,3月29日,中芯國際全資附屬公司SMIC Shanghai (Cayman) Corporation擬向江蘇中科君芯科技有限公司(以下簡稱「中科君芯」)出售目標公司中芯國際香港(國際)有限公司100%股份,出售代價為1.13億美元。

目標集團包括目標公司、LFoundry、SMIC Sofia、LFoundry Sofia EOOD及Consorzio Delta Ti Research。目標公司為於香港註冊成立有限公司,主要從事攝像頭晶元的開發及生產,其擁有佔LFoundry70%已發行及流通在外企業資本的限額。該公司於2016年7月收購LFoundry 70%的企業資本。

資料顯示,LFoundry是一家專業晶圓代工廠,總部位於古歐洲的中心義大利阿韋扎諾,主要提供最先進的模擬製造服務,晶圓月產量超過4萬片。該工廠擁有先進的200mm生產線和150nm和110 nm工藝製程,提供MPW和MLM服務。

SMIC Sofia 為設計服務中心,開發汽車相關知識產權平台,由目標公司全資擁有;LF Sofia EOOD從事開發設計及技術解決方案,專註於生產感測器及集成電路,由LFoundry全資擁有。Consorzio Delta Ti Research從事納米技術板塊的研發,LFoundry擁有其50%權益。

甩掉包袱,聚集先進位程及特色工藝

事實上,LFoundry是中芯國際前兩年收購而來。

2016年7月,中芯國際以4900萬歐元的價格收購LFoundry 70%的企業資本。當時中芯國際表示,這是中芯國際在全球戰略上邁出的重要一步,雙方將實現在技術、產品、人才、市場方面的優勢互補。彼時業界亦認為收購LFoundry對中芯國際而言可增產增量,是個不錯的選擇。

那麼如今時隔不過兩年多,中芯國際為何要出售LFoundry?對於這次交易的理由,中芯國際表示,本公司基於自身運營與未來整體發展的考慮,決定出售目標集團。該交易的好處在於使管理層可以集中著眼於公司的未來發展,以及從該業務投資中獲得正面投資回報。

業界認為,對於中芯國際而言,這或是甩包袱減負。某不具名的業內人士表示,一來歐洲市場並不是中芯國際的主場、佔比較小,二來LFoundry持續虧損,數據顯示,2018年度及2017年度分別虧損810萬美元及1490萬美元,出售LFoundry的行為並不難理解。

在他看來,如今全球半導體市場不景氣,中芯國際適當收縮一下或是好事,而且目前主戰場國內仍有很多產能急需填滿,還不如把LFoundry賣掉然後押注到主戰場來。

中芯國際稱,目標集團於2018年12月31日的未經審核資產總值為256.2百萬美元,基於扣減凈資產賬面值的代價,這次交易預期將錄得交易收益77.0百萬美元(未經審核)。經計及相關交易成本約2百萬美元後,交易的所得款項凈額將約為174百萬美元,本公司有意將其用於先進位程工藝技術及特色成熟工藝。

根據剛發布的2018年業績報告,中芯國際現已完成了28納米HKC+以及14納米FinFET技術的研發,並開始相關客戶導入的工作,預計於2019年內實現生產。此外,中芯國際也成功開發出了國內第一套14納米級光罩,具備了國內最先進的光罩生產能力,今年可為客戶 提供14納米光罩製造服務。

在持續推進先進位程的同時,中芯國際在特色工藝方面亦在不斷布局,其中芯寧波特種工藝N1項目已於2018年11月正式投產,N2項目亦已開工建設;此外,聚集微機電(MEMS)和功率器件等特色工藝的中芯集成(紹興)項目亦預計將於今年設備搬入。

中科君芯轉型IDM

這次的買方——中科君芯成立於2011年,是一家專註於IGBT、FRD等新型電力電子晶元研發的中外合資高科技企業。

據了解,中科君芯是國內率先國內率先開發出溝槽柵場截止型(Trench FS)技術並真正實現量產的企業,其IGBT晶元、單管和模塊產品從600V至6500V,覆蓋了目前主要電壓段及電流段,已批量應用於感應加熱、逆變焊機、工業變頻、新能源等領域。

上述業內人士指出,中科君芯此番收購LFoundry,無疑是為了從晶元設計向IDM轉型。該人士指出,在國內IGBT晶元設計領域,中科君芯的設計能力較強,LFoundry在這方面原本就有所積累,收購LFoundry可助其大幅提升競爭力,並進一步提升工藝技術、積累經驗。

不過,該人士亦認為,中科君芯的主要客戶在國內、LFoundry工廠位於歐洲,後續若能將LFoundry搬回國內或是更好。

但無論如何,這起交易若最終得以實現,中國IGBT產業將誕生一家新的本土IDM廠商。根據公告,該交易預計於今年6月底完成。

作者: 張明花

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中芯國際出售LFoundry,輕裝上陣征戰先進位程及特色工藝

圖片聲明:封面圖片來源於中芯國際。

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