三星宣布5nm EUV工藝完成：明年可以投產

繼台積電後，三星也宣布了5nm工藝，而相應的生產線正在建設，預計2019年下半年完成，明年可以開始投入使用。

今天三星宣布，已經成功完成了5nm EUV開發，並且相應的樣品已經給客戶送去，而由於加入了EUV（極紫外線光刻）技術，在更先進工藝製程加持下，可以讓晶元擁有更好的功耗和性能。

那麼新工藝下的表現是怎麼樣的呢？三星強調，5nm FinFET工藝技術可以讓晶元功耗降低了20%（相較於7nm工藝），性能提高了10%，從而能夠擁有更多創新的標準單元架構。

三星稱，5nm的另一個主要優點是，讓7nm客戶過渡到5nm降低的遷移成本，縮短相應產品開發的時間。

此前，台積電宣布的情況是，的第一代5nm是他們第二次引入EUV技術，多達14層；而第二代7nm的EUV，只有4層規模。

隨著格芯（GF）、聯電的退出，目前能夠做7nm以及更先進工藝晶圓的廠商就只剩下了三星、台積電和Intel，但Intel實際上並不和台積電直接競爭，因為其晶圓廠甚至連滿足自家需求都還捉急，只是保不齊對手AMD會重金下單。

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