謎團解開：三星9X層3D快閃記憶體到底堆疊了多少層？答案來了

相比iFixit的整機拆解，TechInsights是一家更深入拆解晶元並分析其內部結構的公司。最近TechInsights完成了對三星、東芝和美光最新一代9X層堆疊3D快閃記憶體的拆解分析。這些快閃記憶體已經或即將用在我們日常使用的手機、固態硬碟當中。

之所以是9X層而不是具體的96層，是因為三星不對外公開具體堆疊層數，TechInsights為我們揭開了答案。TechInsights從三星970Evo Plus 2TB中獲得了其9X層堆疊3D快閃記憶體顆粒K9DUGY8J5B-DCK0，通過結構分析發現它的堆疊層數為92層。

單從堆疊層數來看92層少於競爭對手東芝和美光所採用的96層結構，所以三星也很聰明的選擇了隱匿具體數值，而採用9X層的模糊表述。

下圖為東芝96層堆疊BiCS4快閃記憶體，顆粒拆解自東芝XG6 NVMe固態硬碟，顆粒編號TH58LJT0T24BADE。

下圖為美光96層堆疊（第三代）3D快閃記憶體，顆粒拆解自美光BX500 960GB型號（240GB和480GB使用第二代64層堆疊3D快閃記憶體），顆粒編號MT29F512G08EBHBFJ4-R。

TechInsights還對國產長江存儲3D快閃記憶體（32層堆疊）產生了濃厚興趣，正在搜集和準備進行相關的拆解分析。

另外根據TechInsights公布的NAND技術路線圖顯示，當前三星、東芝和美光的64層/9X層3D快閃記憶體實際使用19nm或20nm工藝製造。除美光之外，其他主流快閃記憶體製造商都選擇了Charge Trap快閃記憶體結構，而美光也有可能在下一代128層堆疊技術中從Floating Gate轉換成Charge Trap，以期獲得更高的快閃記憶體耐久度表現。

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