長江存儲64層3D NAND產能將在年底釋放，領軍加速存儲國產化進程！

科技 04-16

據Nikkei Asian Review消息稱，長江存儲將在年底前在武漢存儲基地大規模生產64層3D NAND。長江存儲技術有限公司首席技術官程衛華在採訪時表示，長江存儲大規模生產NAND快閃記憶體的計划進展順利，沒有任何問題。目前在中國政府的支持下，長江存儲正在武漢建設一座240億美元的半導體工廠。

長江存儲正在NAND Flash領域取得穩定進展，去年發布了創新的XtackingTM架構，通過這一架構，周邊的控制電路可以隨意選擇任何的邏輯電路的先進工藝，這樣周邊電路的速度可以沒有特別大的限制往上提高。雖然長江存儲比較晚進入這個行業，但是在64層這個工藝節點，採用XtackingTM架構跟傳統架構的96層相比，容量並未低太多，大概15%左右。

長江存儲專註於3D NAND研發，2018下半年發布突破性技術XtackingTM，2019年有望在年底前量產64層3D NAND，正緊追國際一線大廠的步伐。當前，三星、東芝/西部數據、美光/英特爾、SK海力士等主流量產的是64/72層3D NAND，並逐步提高量產96層3D NAND，三星、東芝/西部數據甚至已經開始規劃100層以上的3D NAND 技術，傳西部數據和東芝已開發出128層512Gb 3D TLC NAND裸片，被命名為BiCS5。

雖然與國際大廠相比，長江存儲量產64層3D NAND仍然落後，但是差距已大幅縮小至兩年以內，而且長江存儲已規劃在2020年跳過96層直接進入128層3D NAND，將展現國產自主研發技術的突破性成長。

在產能方面，長江存儲64層3D NAND預計將在武漢存儲器基地生產，該項目總投資額240億美元，將建立三座全球單座潔凈面積最大的3D NAND廠房，一座總部研發大樓和其他若干配套建築，一期工廠是在2017年新建，並在2018下半年小量生產32層3D NAND，滿載月產能可達到15萬片。為進一步擴大武漢存儲基地生產規模，已啟動武漢存儲基地二期擴產項目，項目投資17.8億美元。

存儲國產化目標正在不斷的推進，但從2018年開始，NAND Flash表現大跌，DRAM價格也在下滑，其主要是因為產能供給過剩，外界擔心長江存儲以32層技術為奠基石，將從64層技術節點開始3D NAND產能大開，再加上與國內產業鏈企業擴大存儲國產化應用，恐進一步加劇市場供應過剩的情況。

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