另闢蹊徑，9納米光刻樣機問世，我國突破了西方的「技術壁壘」！

隨著電子化進程的推進，我們的生活生產中，電子設備已經成為不可或缺的存在。不僅如此，在各種武器裝備方面，電子化也有著非常明顯的優勢，但需要指出的是，電子設備的優異性就是由電子晶元決定的，但我們都知道，在晶元方面我們同世界前列還有著一段距離。不過近日從武漢傳出喜訊，我國科學家另闢蹊徑，突破極限，創造了一項新奇蹟。

據媒體近日的報道稱，武漢光電國家研究中的甘棕松團隊，採用二束激光在自研的光刻機上突破了光束衍射極限的限制，光刻出了最小9納米線寬的線段，另闢蹊徑突破了西方國家的「技術壁壘」。

作為集成電路生產製造過程中的關鍵設備，光刻機的相關技術一直被荷蘭ASML公司這樣頂尖的企業所壟斷，而我們要想購買這些企業先進設備也困難重重，去年，中國企業採購一塊最新的光刻機就在最後交貨的關鍵時刻，荷蘭ASML方面就出現了車間著火的意外。

正因為這樣，我們製造自己的光刻機已經刻不容緩，但是鑒於專利技術壁壘，我們要製造自己的光刻機還得使用ASML公司沒使用過的方法，這也無形中增加了我們在這一方面取得突破的難度。

光刻機的每個部件都可以說是科技含量很高，其研發難度甚至還要超過航空發動機，其能光刻的最細線寬就最終決定了晶元的性能高低。需要指出的是，早在兩年前華中科技大學國家光電實驗室實際上就已經實現了9納米線寬的光刻，此次又另闢蹊徑取得成功，也就意味著在9納米層級我們的技術已經非常熟練，將可以走出實驗室，走向工業化生產。

2019年全國電子信息行業工作座談會

在近日舉行的2019年全國電子信息行業工作座談會上，工信部電子信息司集成電路處處長任愛光就表示，在過去的一年裡，我國集成電路設計業產業規模正在不斷壯大，去年我國集成電路產業的銷售額就已經達到了6532億元。

根據相關數據來看，我國集成電路產業的結構正變得越來越優化和完整，整體符合增長率已經達到全球的近三倍。同時中國的集成電路設計水平也非常值得期待，目前在設計水平方面我們也達到了7納米的水平，並且14納米邏輯工藝也開始量產，整體產業的集中度得到了進一步的提高。這次9納米的光刻機技術的突破，將會為我國在該領域受制於人的範圍縮小。

不過要指出的是，雖然我們取得了諸多的突破，但我們離國際先進還是有著一段距離的，其中邏輯工藝方面就存在著差不多兩代的差距。但是根據中國科學家們出成果的頻率以及國家的投入，相信我們將會很快實現自給自足。

曾經，歐洲的一些工程師就對我國的高層表示，即使把所有的圖紙技術指標參數都告訴我們，我們也不能夠同他們一樣造出優秀的光刻機。然而，但凡中國有一些突破取得一些成就的時候，他們就開始聲稱，中國從他們那裡竊取了技術。但是實際上，中國科學家使用完全不同方法實現了同樣的結果，這可能是他們沒有想到的。

反正對於西方國家來說，只要是中國取得了進步，就都是抄他們的，殊不知其中有些技術連他們自己也沒有。儘管我們在這一方面同西方還有很大的差距，但只要我們一起努力，我們一定能推平擋住在面前的壁壘。（智忠）

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