三星5nm，台積電6nm，下一代EUV技術將在2020年正式展開對決！

在7nm EUV工藝上的競爭還在如火如荼的進行中，4月16日三星宣布完成5nm FinFET工藝開發，台積電則推出了6nm（N6）工藝，都將利用EUV光刻，在2020年開始投產，新的戰局已經拉開。

三星5nm EUV工藝將2020年在華城投產

三星電子宣布完成5nm FinFET工藝開發，並已開始給客戶送樣。與7nm相比，三星的5nm FinFET工藝技術將邏輯區域效率提高了25％，功耗降低了20％，性能提高了10％，從而使其能夠擁有更多創新的標準單元架構。5nm在金屬層圖案化中使用EUV光刻，並減少掩模層，同時提供更好的保真度。5nm的另一個主要優點是可以將所有7nm的IP重新用到5nm工藝製程上，從而使得客戶能夠有效降低遷移成本，利用預先驗證的設計生態系統，縮短5nm產品的開發時間。

三星Foundry與其「三星高級代工生態系統（SAFE）」合作夥伴密切合作，為三星5nm工藝提供強大的設計基礎架構，自2018年第四季度開始提供包括工藝設計套件（PDK），設計方法（DM），電子設計自動化（EDA）工具和IP。此外，三星Foundry已經開始向客戶提供5nm多工程晶圓（MPW）服務。

2018年10月，三星宣布準備並初步生產7nm工藝，這是其首個採用EUV光刻技術的工藝節點。三星已為業界提供首批基於EUV的商業樣品，並於今年初開始量產7nm工藝。此外，三星正在與6nm的客戶合作，這是一個定製的基於EUV的工藝節點，並且已經收到了首款6nm晶元的流片產品。

目前，基於EUV的工藝技術正在韓國華城的S3生產線上生產。此外，三星將在華城開設一條新EUV生產線以擴大EUV產能，該生產線預計將在2019年下半年完成，並從明年開始增產。

台積電6nm將在2020年Q1試產

台積電宣布推出6nm（N6）工藝，該工藝相較於N7技術顯著增強，並為客戶提供了具有高度競爭力的性能，以獲得成本優勢，以及從N7設計無縫過渡，快速應用到市場。

台積電的N6工藝比N7工藝提供了18%的更高的邏輯區域。同時，其設計規則與台積電成熟的N7技術完全兼容，使其全面的設計生態系統得以重用。因此，它為客戶提供了無縫的過渡，以及具有快速的設計周期，以實現新技術產品帶來的產品效益。

台積電預計將在2020年Q1進行試產，台積電的N6技術為客戶提供了更高的經濟效益，同時將7nm系列領先的電源和性能廣泛的應用到市場，從高端到中端，包括人工智慧，5G網路和基礎設施、GPU和高性能計算。

台積電業務發展副總裁張凱文博士表示，「台積電N6技術將進一步擴大和提供比現有N7更高性能和成本優勢的產品，在7nm技術取得廣泛成功的基礎上，我們的客戶將能夠利用當今成熟的設計生態系統，從新產品中快速獲得更高的產品價值。」

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