荷蘭光刻機大廠 ASML 交出優於預期的首季財報，公司透露已看到邏輯晶元的技術節點快速轉換中，量產型極紫外光（EUV）系統 NXE : 3400C 除了導入邏輯客戶端之外，也將推進到 DRAM 內存產業，可以預見， EUV 光刻機的下一個攻城掠地之所，將是 DRAM 存儲產業，傳出當中最積極的客戶是三星電子。

根據第一季度財報，ASML凈銷售額為 22 億歐元，凈收入為 3.55 億歐元，毛利率為 41.6 ％ 。同時， ASML 也針對第二季提出財測，預估凈銷售額將在 25 億歐元～26 億歐元之間，毛利率在 41 ％ ～42 ％ 之間。

ASML 表示，紫外光（EUV）光刻機的出貨量，以及深紫外光（DUV）光刻機的盈利優於預期，帶動首季銷售額和毛利率略高於預期，預計邏輯晶元技術節點轉換加速，讓公司 2019 全年展望保持不變。

（來源：ASML）

ASML 的 EUV 光刻機在 2017 年下半到 2018 年初，約莫達到每小時曝光 125 片晶圓的吞吐量，而 ASML 即將在下半年出貨的新一代 EUV 光刻機，晶元吞吐量已經可以達到每小時 170 片水準。

值得注意的是， ASML 也透露會將 NXE : 3400C 的 EUV 光刻機推動進入 DRAM 內存產業。

事實上，半導體 DRAM 大廠對於在高端工藝技術中導入 EUV 光刻機技術有不同的看法。其中，最為積極的是三星，除了生產 7nm 的處理器晶元導入 EUV 技術外，業界認為三星可能在 2020 年於 1y nm 工藝上使用EUV技術。

目前 DRAM 晶元仍在以 1x nm 節點。DRAＭ 製程技術進入 20 nm 以下，通常 19 nm 納米到 16 nm 節點都泛指為 1x nm，像是三星現在的 18 nm 工藝技術，日前就傳出有良率過低導致的瑕疵品問題，而引發客戶賠償的消息。

再來， 1y nm 工藝技術則是泛指 16 nm 到 14 nm 之間， 1z nm 是指 14 nm 到 12 nm 之間，若再往下發展，美光提出的過 1α 與 1β 工藝技術，但業界都認為， DRAM 技術再往下微縮，技術難度非常大，何時商業化仍需觀察。

相較於三星對於 EUV 技術的積極，美光則是表明尚沒有導入的計劃，因為不認為 EUV 光刻機在 DRAM 晶元的製造環節上是必須的，甚至是未來發展到可能到 1z 以下的 1α 和 1β 工藝技術，可能都不需要 EUV 光刻機。

而 SK海力士也是有意將EUV 光刻機技術加入 DRAM 生產環節，但目前細節尚未公開，應會從韓國利川市新建的工廠開始導入。

另外， SK 海力士也在無錫 12 寸晶圓廠投資 8.32 億美元， 2019 年初開始啟動生產，朝 1x nm 工藝技術投入，未來該廠房的產能可達每月 18 萬片。

ASML 在深紫外光（DUV）光刻機業務上，公司表示受惠汽車、工業、物聯網等細分市場的強勁增長， 8 寸晶圓廠客戶 TWINSCAN 乾式光刻機的需求不斷增長。

在 12 寸晶圓方面， DUV 機台的技術也持續推進，以支持先進技術節點和新應用， ASML 計劃在 2020 年中推出 NXT：1470 機台。

ASML 總裁兼首席執行官 Peter Wennink 表示，再次確認之前公布的 2020 年之後的長期展望，仍然保持基於對 5G 通信、汽車、人工智慧和數據中心等技術驅動領域的積極看法，然而從短期來看，宏觀經濟的發展對於市場的需求仍然帶來了一些不確定因素。

另外， ASML 在 2016 年買下漢微科之後，加入提高未來節點所需的缺陷檢測靈敏度的電子束產品（E-beam products），計劃在 2019 年研發並推出多波束系統， 2020 年可進入商用。

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坐標：北京·國貿

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