NAND快閃記憶體減產漲價？沒這麼容易

截至本季度，NAND快閃記憶體價格已經連續跌了6個季度，上游的NAND快閃記憶體廠商面臨著營收及盈利下滑的考驗，美光、三星等公司都已經決定削減NAND產能以減緩降價趨勢。

不過廠商削減產能不是一句話的事，前兩年這些產能擴增了不少生產及封裝工廠，經過一兩年的建設正好在今年完工投產，這也會擴大NAND快閃記憶體的產能，與削減產能的目標相反。

來自重慶西永微電園的消息稱，SK海力士二期1.6萬平方米主體建築已建成，預計6月中旬進行設備安裝，三季度陸續投產。

投產後，項目合計產能是現在的2.5倍，晶元年產量將佔到整個SK海力士快閃記憶體產品的40%以上, 成為SK海力士全球海外最大封裝基地。

西永微電園的SK海力士封裝廠投產之後，勢必會增加NAND快閃記憶體產能，而前不久SK海力士也宣布出貨96層堆棧的新一代4D NAND快閃記憶體，QLC類型，單顆核心容量1Tbit，容量要比目前的MLC、TLC快閃記憶體至少高出一倍，可以輕鬆實現16TB SSD硬碟。

除了減產外，SK Hynix去年底宣布了96層堆棧的QLC快閃記憶體，並取名為4D NAND快閃記憶體，相比通常的3D NAND快閃記憶體聽上去更先進，主要原因就是SK Hynix首次實現了4D平面，每個NAND核心中的平面數量從2個增加到4個，數據帶寬也從32KB翻倍到了64KB，核心容量達到了1Tbit，比目前MLC/TLC主流的256Gbit、512Gbi至少翻倍，可以輕鬆製造出16TB的硬碟。

SK Hynix今天宣布正式出樣96層堆棧的QLC快閃記憶體給客戶，SM慧榮等公司已經拿到了QLC快閃記憶體樣品，並表示SK Hynix的QLC快閃記憶體整體性能令人印象深刻。

除了QLC快閃記憶體之外，SK Hynix還會開發自己的QLC軟體演算法及主控晶元，並及時推出解決方案以滿足客戶需求。

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