國產內存揭秘：源於奇夢達一千多萬份DRAM內存技術資料

不論是NAND快閃記憶體還是DRAM內存，國內市場幾乎都是100%依賴進口，去年進口的存儲晶元價值超過1000億美元，所以國內近年來集中力量發展存儲晶元。

在國內布局的三大存儲晶元基地中，紫光旗下的長江存儲240億美元的投資主要是NAND快閃記憶體，DRAM內存有福建晉華以及合肥長鑫，前者跟聯電合作，因為跟美光產生了專利糾紛被美國制裁，發展前景並不樂觀。

國內DRAM內存的希望就剩下了合肥長鑫了，該公司2016年成立，官網資料很有限，只是提到「長鑫存儲致力於成為全球領先的半導體IDM企業，不斷引進先進的半導體設施，並研發行業頂尖技術。」

不過媒體報道稱，2017年合肥長鑫投資72億美元興建12寸晶圓廠以發展DRAM產品，未來完成後，預計最大月產將高達12.5萬片規模。

此外，2017年10月份兆易創新宣布與合肥市產業投資控股（集團）有限公司合作開展工藝製程19nm存儲器的12英寸晶圓存儲器（含DRAM等）研發項目，總投資180億元，合作主體也是合肥產投下屬的長鑫公司。

根據長鑫公司之前公布的計劃，合肥長鑫的一廠廠房已經於2018年1月建設完成，設備也開始安裝。根據計劃，長鑫將於2018年年底推出8Gb DDR4工程樣品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，產能將達到2萬片一個月。從2020年開始，公司則開始規劃二廠，2021年則完成17nn的研發。

長鑫發展DRAM內存的關鍵不是資金，而是人才及技術，在三星美光SK海力士等公司壟斷了全球主要的內存產能及技術之後，長鑫的DRAM內存技術來源是哪裡呢？

今天在上海舉辦的GSA峰會上，長鑫存儲的董事長兼CEO朱一明發表了《中國存儲技術發展與解決方案》主題演講，其中就提到了長鑫DRAM內存的技術來源。

根據朱一明所說，長鑫從成立開始，就與國內外技術領先的合作夥伴廣泛開展研發合作，如ASML、KLA-Tencor、Lam Research、TEL、Applied Material和TechInsight等，不過DRAM內存技術重要原來則是已經破產的奇夢達。

奇夢達公司是英飛凌半導體剝離出來成立的DRAM晶元公司，早些年還可以在某些顯卡上看到他們的GDDR顯存，不過奇夢達已經破產多年，但這主要是因為經營不善，奇夢達在DRAM上還是有自己的技術的。

朱一明表示長鑫存儲通過與其合作，將一千多萬份有關DRAM的技術文件及2.8TB數據收歸囊中，這也是公司最初的技術來源之一。長鑫存儲在所接收技術和國際合作的基礎上，利用專用研發線，展開世界速度的快速迭代研發，已持續投入晶圓超過15000片。

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