三星3nm路線圖公布 2021年將量產

近日，三星在Samsung Foundry Forum大會上，宣布了一個重磅炸彈，那就是其3nm Gate-All-Around（GAA）工藝已經在開發中了，與7nm技術相比，三星的3GAE工藝將減少45％晶元面積％，功耗降低50％，性能提高35％，同時預計在2021年量產，將服務於人工智慧（AI）、機器學習、5G網路、汽車、物聯網（物聯網（IoT）以及高級數據中心等諸多領域。

三星3nm路線圖公布 2021年將量產晶元

而三星電子鑄造業務總裁兼負責人ES Jung博士也稱：「我們站在第四次工業革命的邊緣，這是一個高性能計算和連接的新時代，這將推動地球上每個人的日常生活，

三星的路線圖包括四種基於FinFET的工藝，從7nm到4nm，採用極紫外（EUV）技術以及3nm GAA或MBCFET。而在今年下半年，三星計劃開始批量生產6nm工藝產品並完成4nm工藝的開發。

三星5nm FinFET工藝的產品設計於4月開發，預計將於今年下半年完成，並將於2020年上半年開始量產，進展非常迅猛。

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